存储器的制造方法技术

本发明专利技术公开一种存储器的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成多个电荷存储结构，其中相邻两个电荷存储结构之间具有第一沟槽，且第一沟槽延伸至基底中。在第一沟槽的表面形成介电衬层。在介电衬层上形成氮化物层。在第一沟槽中填入第一介电层。在电荷存储结构与第一介电层上形成第二介电层。在第二介电层上形成导体层。移除第一介电层，而在相邻两个电荷存储结构之间的第二介电层下方形成第一气隙。

Method for manufacturing memory

The invention discloses a method for manufacturing a memory, comprising the following steps. A plurality of charge storage structures are formed on the substrate, wherein the two adjacent charge storage structures have a first trench, and the first trench extends to the substrate. A dielectric lining is formed on the surface of the first groove. A nitride layer is formed on the dielectric lining. A first dielectric layer is filled in the first trench. A second dielectric layer is formed on the charge storage structure and the first dielectric layer. A conductor layer is formed on the second dielectric layer. A first dielectric layer is removed, and a first air gap is formed below the second dielectric layer between the adjacent two charge storage structures.

【技术实现步骤摘要】
存储器的制造方法
本专利技术涉及一种半导体组件的制造方法，且特别是涉及一种存储器的制造方法。
技术介绍
非挥发性存储组件(non-volatilememory)由于可进行多次数据的存入、读取、抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据访问时间短、低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。典型的非挥发性存储器组件一般是被设计成具有堆叠栅极(stacked-gate)结构，其中包括以掺杂多晶硅制作的浮置栅极(floatinggate)与控制栅极(controlgate)。浮置栅极位于控制栅极和基底之间且处于浮置状态，而控制栅极则与字符线(wordline)相接。此外，非挥发性存储器组件还包括穿隧介电层(tunnelingdielectriclayer)和栅间介电层(inter-gatedielectriclayer)分别位于基底和浮置栅极之间以及浮置栅极和控制栅极之间。在目前提高存储器组件集成度的趋势下，会依据设计规则缩小组件的尺寸。在此情况下，为了防止浮置栅极间的耦合干扰升高，进而提高栅极耦合率，会通过在堆叠栅极结构之间形成气隙来解决上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的制造方法，包括：在一基底上形成多个电荷存储结构，其中相邻两个电荷存储结构之间具有一第一沟槽，且该第一沟槽延伸至该基底中；在该第一沟槽的表面形成一介电衬层；在该介电衬层上形成一氮化物层；在该第一沟槽中填入一第一介电层；在该些电荷存储结构与该第一介电层上形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一导体层；以及移除该第一介电层，而在相邻两个电荷存储结构之间的该第二介电层下方形成一第一气隙。

【技术特征摘要】
2016.01.15 TW 1051011641.一种存储器的制造方法，包括：在一基底上形成多个电荷存储结构，其中相邻两个电荷存储结构之间具有一第一沟槽，且该第一沟槽延伸至该基底中；在该第一沟槽的表面形成一介电衬层；在该介电衬层上形成一氮化物层；在该第一沟槽中填入一第一介电层；在该些电荷存储结构与该第一介电层上形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一导体层；以及移除该第一介电层，而在相邻两个电荷存储结构之间的该第二介电层下方形成一第一气隙。2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中各该电荷存储结构包括：电荷存储层，设置在该基底上；以及穿隧介电层，设置于该电荷存储层与该基底之间。3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中在形成该氮化物层之前，还包括：在该第一沟槽中形成一保护层，且该保护层的顶面高于该穿隧介电层的顶面；以该保护层为掩模，移除部分该介电衬层，以暴露出部分该电荷存储层；以及在移除部分该介电衬层之后，移除该保护层。4.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中该第一介电层的顶面低于该电荷存储层的顶面。5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该电荷...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏承志，王子嵩，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71