分离栅快闪存储器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种分离栅快闪存储器的制备方法，在进行化学机械研磨后，对存储单元区域执行预非晶化离子注入，由此将构成存储单元字线的第一多晶硅层残余和第二多晶硅层残余之间的氧化层界面破坏，因此，降低了第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的接触电阻，进而提高了存储单元的读写速度。

【技术实现步骤摘要】
分离栅快闪存储器的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种分离栅快闪存储器的制备方法。
技术介绍
分离栅快闪存储器包括存储单元部分及外围电路部分，现在工艺中分离栅快闪存储单元部分的擦除栅和字线以及其外围电路部分的栅极是同时进行制备的，典型的现有制备工艺中，如图1a、图1b所示，首先，提供半导体基底10，在半导体基底上于存储单元区域11形成有存储单元堆栈13，外围电路区域12形成有外围电路器件氧化物14；然后在半导体基底10上覆盖形成第一多晶硅层15，并与外围电路区域12的第一多晶硅层15上形成上表面与存储单元堆栈13上表面平齐的停止层16；接着在半导体基底10上沉积覆盖形成第二多晶硅层17；执行化学机械研磨，以暴露存储单元堆栈13上表面以及停止层16上表面；去除停止层16，这样一来，在存储单元区域11的字线区域的第一多晶硅层残余15’和第二多晶硅层残余17’构成字线WL，在擦除栅区域的第一多晶硅层残余形成擦除栅EG，在外围电路区域12的外围电路器件氧化物14上的第一多晶硅层构成外围电路器件栅极。在上述的制备工艺中，由于存储单元区域的存储单元堆栈与外围电路区域的外围电路器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分离栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上于存储单元区域形成存储单元堆栈，外围电路区域形成外围电路器件氧化物；在半导体基底上覆盖形成第一多晶硅层，并与外围电路区域的第一多晶硅层上形成上表面与存储单元堆栈上表面平齐的停止层；在半导体基底上沉积覆盖形成第二多晶硅层；执行化学机械研磨，以暴露存储单元堆栈上表面以及停止层上表面；对存储单元区域执行预非晶化离子注入，并快速退火；去除停止层。

【技术特征摘要】
1.一种分离栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上于存储单元区域形成存储单元堆栈，外围电路区域形成外围电路器件氧化物；在半导体基底上覆盖形成第一多晶硅层，并与外围电路区域的第一多晶硅层上形成上表面与存储单元堆栈上表面平齐的停止层；在半导体基底上沉积覆盖形成第二多晶硅层；执行化学机械研磨，以暴露存储单元堆栈上表面以及停止层上表面；对存储单元区域执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永玉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31