存储器结构制造技术

本发明专利技术公开一种存储器结构，包括基底、选择栅极结构、第一重掺杂区、第二重掺杂区及浮置接触窗。选择栅极结构设置于基底上。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别设置于选择栅极结构一侧与另一侧的基底中。浮置接触窗设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底上，且与基底相互隔离。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构
本专利技术涉及一种半导体组件结构，且特别是涉及一种存储器结构。
技术介绍
存储器为用以存储信息或数据的半导体组件，广泛地应用于个人计算机、移动电话、网络等方面，已成为生活中不可或缺的重要电子产品。由于计算机微处理器的功能越来越强，软件所进行的程序与运算也随之增加，且各种数据存储量也日趋增加，因此存储器的容量需求也就越来越高。在目前存储器组件不断微小化的趋势下，业界积极地在有限的空间中提升存储器组件的积集度，也因而使得存储器组件的结构与制作工艺日趋复杂。因此，在存储器组件的制作过程中，常需要使用许多光掩模来完成存储器组件的制作，进而造成制造成本大幅地提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器结构，其结构简单且制作工艺的复杂度低，进而可有效地降低制造成本。本专利技术提出一种存储器结构，包括基底、选择栅极结构、第一重掺杂区、第二重掺杂区及浮置接触窗。选择栅极结构设置于基底上。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别设置于选择栅极结构一侧与另一侧的基底中。浮置接触窗设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底上，且与基底相互隔离。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，选择栅极结构包括选择栅极及介电层。选择栅极设置于基底上。介电层设置于选择栅极与基底之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗的顶面例如是高于选择栅极结构的顶面。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗例如是横越主动区。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，浮置接触窗与基底之间例如是不具有金属硅化物层。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括介电结构。介电结构设置于浮置接触窗与基底之间，可用以隔离浮置接触窗与基底。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，介电结构可为单层结构或多层结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一轻掺杂区。第一轻掺杂区设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底中。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第二轻掺杂区。第二轻掺杂区设置于第二重掺杂区与选择栅极结构之间的基底中。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一接触窗。第一接触窗电连接至第一重掺杂区。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第一内联机结构及第二内联机结构。第一内联机结构电连接于第一接触窗。第二内联机结构电连接于浮置接触窗。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，位于第二内联机结构侧边的第一内联机结构可位于第二内联机结构的一侧、位于第二内联机结构的两侧或环绕第二内联机结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，部分第一内联机结构可位于第二内联机结构的上方。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，还包括第二接触窗。第二接触窗电连接至第二重掺杂区。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的存储器结构中，存储器结构可用于作为一次可编程的存储器(OTPmemory)、多次可编程的存储器(MTPmemory)或闪存存储器(flashmemory)。基于上述，由于本专利技术所提出的存储器结构是使用浮置接触窗来进行电荷的存储，所以存储器结构具有简单的结构，且可通过简易的制作工艺形成，进而可有效地降低制造成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术第一实施例的存储器结构的剖视图；图2为图1中的浮置接触窗与主动区的示意图；图3为本专利技术第二实施例的存储器结构的剖视图；图4为本专利技术第三实施例的存储器结构的剖视图；符号说明100、100a、100b：存储器结构102：基底104：选择栅极结构106、108：重掺杂区110：浮置接触窗110a、132a、134a：接触窗开口112：选择栅极114：介电层116：间隙壁118、120：轻掺杂区122、122a：介电结构123：原子层沉积氧化硅层124：介电层126：接触窗蚀刻终止层128：介电层结构130a～130c：金属硅化物层132、134：接触窗136a～136c、146、150、154：阻障层138、140、142：内联机结构144、148、152：导体层AA：主动区具体实施方式图1为本专利技术第一实施例的存储器结构的剖视图。图2为图1中的浮置接触窗与主动区的示意图。图3为本专利技术第二实施例的存储器结构的剖视图。图4为本专利技术第三实施例的存储器结构的剖视图。请参照图1，存储器结构100包括基底102、选择栅极结构104、重掺杂区106、重掺杂区108及浮置接触窗110。存储器结构100可用于作为一次可编程的存储器、多次可编程的存储器或闪存存储器。基底102例如是半导体基底，如硅基底等。选择栅极结构104设置于基底102上。选择栅极结构104包括选择栅极112及介电层114，且还可包括间隙壁116。选择栅极112设置于基底102上。选择栅极112的材料例如是掺杂多晶硅等导体材料。选择栅极112的形成方法例如是化学气相沉积法。介电层114设置于选择栅极112与基底102之间，可作为栅介电层使用。介电层114的材料例如是氧化硅。介电层114的形成方法例如是热氧化法。间隙壁116设置于选择栅极112的侧壁上。间隙壁116的材料例如是氮化硅。间隙壁116的形成方法例如是先形成覆盖选择栅极112的间隙壁材料层(未绘示)，再对间隙壁材料层进行回蚀刻制作工艺而形成。重掺杂区106、108分别设置于选择栅极结构104一侧与另一侧的基底102中。重掺杂区106、108分别可为N型重掺杂区或P型重掺杂区。在此实施例中，重掺杂区106、108是以N型重掺杂区为例来进行说明。重掺杂区106、108的形成方法例如是离子注入法。浮置接触窗110设置于重掺杂区106与选择栅极结构104之间的基底102上，且与基底102相互隔离。浮置接触窗110可用于存储电荷。由于存储器结构100是使用浮置接触窗110来进行电荷的存储，所以存储器结构100具有简单的结构，且可通过简易的制作工艺形成，进而可有效地降低制造成本。浮置接触窗110的顶面例如是高于选择栅极结构104的顶面。浮置接触窗110与基底102之间例如是不具有金属硅化物层，因此不会产生电荷被金属硅化物层所捕获的情况，而能够有效地进行存储器的操作。此外，请参照图2，浮置接触窗110例如是横越主动区AA，由此可防止漏电流产生。浮置接触窗110的材料例如是导体材料，如钨等金属或掺杂多晶硅。在此实施例中，浮置接触窗110的材料是以钨为例来进行说明。浮置接触窗110的形成方法例如是金属镶嵌法。另外，请参照图1，存储器结构100还可选择性地包括轻掺杂区118、轻掺杂区120、介电结构122、介电层124、接触窗蚀刻终止层(CESL)126、介电层结构128、金属硅化物层130a～130c、接触窗132、接触窗134、阻障层136a～136c、金属内联机138、140、142中的至少一者。轻掺杂区118设置于重掺杂区106与选择栅极结构104之间的基底102中。轻掺杂区120设置于重掺杂区108与选择栅极结构104之间的基底102中。轻掺杂区118、120的掺杂浓度与深度例如是小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器结构，包括：基底；选择栅极结构，设置于该基底上；第一重掺杂区与第二重掺杂区，分别设置于该选择栅极结构一侧与另一侧的该基底中；以及浮置接触窗，设置于该第一重掺杂区与该选择栅极结构之间的该基底上，且与该基底相互隔离。

【技术特征摘要】
2015.12.31 TW 1041445931.一种存储器结构，包括：基底；选择栅极结构，设置于该基底上；第一重掺杂区与第二重掺杂区，分别设置于该选择栅极结构一侧与另一侧的该基底中；以及浮置接触窗，设置于该第一重掺杂区与该选择栅极结构之间的该基底上，且与该基底相互隔离。2.如权利要求1所述的存储器结构，其中该选择栅极结构包括：选择栅极，设置于该基底上；以及介电层，设置于该选择栅极与该基底之间。3.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗的顶面高于该选择栅极结构的顶面。4.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗横越主动区。5.如权利要求1所述的存储器结构，其中该浮置接触窗与该基底之间不具有金属硅化物层。6.如权利要求1所述的存储器结构，还包括介电结构，设置于该浮置接触窗与该基底之间，以隔离该浮置接触窗与该基底。7.如权利要求6所述的存储器结构，其中该介电结构为单层结构或多层结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井享浩，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71