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本发明提供了一种分离栅快闪存储器的制备方法,在进行化学机械研磨后,对存储单元区域执行预非晶化离子注入,由此将构成存储单元字线的第一多晶硅层残余和第二多晶硅层残余之间的氧化层界面破坏,因此,降低了第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的接触电阻,进而...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种分离栅快闪存储器的制备方法,在进行化学机械研磨后,对存储单元区域执行预非晶化离子注入,由此将构成存储单元字线的第一多晶硅层残余和第二多晶硅层残余之间的氧化层界面破坏,因此,降低了第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的接触电阻,进而...