半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。当存储单元形成在第一鳍之上且低击穿电压晶体管形成在第二鳍之上时，用于划分存储单元区域中的第一鳍的第一沟槽的深度被制成为大于用于划分逻辑区域中的第二鳍的第二沟槽的深度。从而，在垂直于半导体衬底的主面的方向上，存储单元区域中的第一鳍的上表面和元件隔离区域的底表面之间的距离大于逻辑区域中的第二鳍的上表面与元件隔离区域的底表面之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉参考于2016年1月7日提交的日本专利申请第2016-001669号的包括说明书、附图和摘要的公开以引用的方式全部引入本申请。
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，并且具体地，涉及在应用于包括鳍式晶体管的半导体器件时有效的技术。
技术介绍
鳍式晶体管已知为场效应晶体管，其操作速度较高、泄露电流和功耗可降低，并且可以实现小型化。鳍式晶体管(FINFET：鳍式场效应晶体管)是例如具有形成在衬底之上作为沟道层的半导体层图案和形成为在图案之上延展的栅电极的半导体元件。EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)被广泛用作非易失性半导体存储器件，其中数据可以电写入/擦除。这些存储器件中的每一个都通过现在广泛使用的闪存来表示，其在MISFET的栅电极下方具有导电浮置栅电极或被氧化物膜环绕的陷阱绝缘膜，使得浮置栅极或陷阱绝缘膜中的电荷存储状态(即，存储数据)被读取作为晶体管的阈值。该陷阱绝缘膜表示可以存储电荷的绝缘膜，并且其示例包括氮化硅膜等。这些存储器件中的每一个都通过电荷注入到这种电荷存储区域/从这种电荷存储区域释放对MISFET的阈值进行偏移来作为存储元件进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主面，所述主面在平面图中包括第一区域和第二区域；多个第一突出部分，每个均是所述半导体衬底在所述第一区域中的一部分且从所述半导体衬底的上表面突出，并且沿着所述半导体衬底的主面在第一方向上延伸；第一元件隔离区域，嵌入到彼此相邻的所述第一突出部分之间的第一沟槽中；第一晶体管，经由第一绝缘膜形成在所述第一突出部分的上表面之上并且设置有第一栅电极和第一源极/漏极区域，所述第一栅电极在以直角与所述第一方向相交的第二方向上延伸，所述第一源极/漏极区域形成在所述第一突出部分的上表面中；多个第二突出部分，每个均是所述半导体衬底在所述第二区域中的一部分且从所述半导体衬底的上表...

【技术特征摘要】
2016.01.07 JP 2016-0016691.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主面，所述主面在平面图中包括第一区域和第二区域；多个第一突出部分，每个均是所述半导体衬底在所述第一区域中的一部分且从所述半导体衬底的上表面突出，并且沿着所述半导体衬底的主面在第一方向上延伸；第一元件隔离区域，嵌入到彼此相邻的所述第一突出部分之间的第一沟槽中；第一晶体管，经由第一绝缘膜形成在所述第一突出部分的上表面之上并且设置有第一栅电极和第一源极/漏极区域，所述第一栅电极在以直角与所述第一方向相交的第二方向上延伸，所述第一源极/漏极区域形成在所述第一突出部分的上表面中；多个第二突出部分，每个均是所述半导体衬底在所述第二区域中的一部分且从所述半导体衬底的上表面突出，并且在所述第一方向上延伸；第二元件隔离区域，嵌入到彼此相邻的所述第二突出部分之间的第二沟槽中；第二晶体管，设置有第二栅电极和第二源极/漏极区域，所述第二栅电极经由第二绝缘膜形成在所述第二突出部分的上表面之上且在所述第二方向上延伸，所述第二源极/漏极区域形成在所述第二突出部分的上表面中，其中在垂直于所述半导体衬底的主面的方向上，所述第一突出部分的上表面与所述第一元件隔离区域的底表面之间的距离大于所述第二突出部分的上表面与所述第二元件隔离区域的底表面之间的距离。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第四绝缘膜，包括顺次形成在所述第一突出部分之上的第三绝缘膜和电荷存储膜；以及第三栅电极，经由所述第四绝缘膜与所述第一栅电极的侧壁相邻并且在所述第二方向上延伸，其中所述第四绝缘膜夹置在所述第三栅电极和所述第一突出部分之间，并且其中所述第三栅电极和所述第一源极/漏极区域形成第三晶体管，并且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管形成非易失性存储元件。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二方向上，彼此相邻的所述第一突出部分之间的空间大于彼此相邻的所述第二突出部分之间的空间。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一突出部分的上表面与侧壁之间的角度小于所述第二突出部分的上表面与侧壁之间的角度。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一突出部分的上表面与侧壁之间的角度大于所述第二突出部分的上表面与侧壁之间的角度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二方向上，所述第一突出部分的宽度大于所述第二突出部分的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二方向上，所述第一突出部分的宽度小于所述第二突出部分的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中通过大于用于所述第二晶体管的电压的电压来驱动所述第一晶体管。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极包含金属。10.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供具有主面的半导体衬底，所述主面在平面图中包括第一区域和第二区域；(b)通过在所述半导体衬底的所述第一区域中的上表面中形成第一沟槽，形成多个第一突出部分，每个均是所述半导体衬底的一部分且从所述半导体衬底的上表面突出，并且沿着所述主面在第一方向上延伸；(c)通过在所述半导体衬底的所述第二区域中的上表面中形成第二沟槽，形成多个第二突出部分，每个均是所述半导体衬底的一部分且从所述半导体衬底的上表面突出，并且在所述第一方向上延伸；(d)形成填充所述第一沟槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：津田是文，山下朋弘，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP