纳米线GaN高电子迁移率晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本发明专利技术利用纳米线具有超强韧性的物理性质，达到抑制高压下材料内部产生缺陷的效果；利用纳米线中位错容易移动到表面而湮灭的原理，从而实现在高压工作时的自修复的效果，是一种能够避免或大幅度延迟器件在高电压工作时产生的不可逆失效现象的有效结构。

Nanowire GaN high electron mobility transistors

The invention discloses a nanowire GaN high electron mobility transistor, followed by the bottom comprises a substrate, GaN thin film, AlGaN nanowires, insulation layer; the upper part of the AlGaN nanowires with source and drain; the gate is arranged above the insulating layer of the film. The physical properties of the invention has strong toughness using nano wires, to suppress the internal defects of materials under high pressure effect; using nano wires in the dislocation moves to the surface and easy to be implemented in the annihilation principle, working under high pressure and self repairing effect, is an effective structure to avoid or greatly delay devices in high voltage when the irreversible failure phenomenon.

【技术实现步骤摘要】
纳米线GaN高电子迁移率晶体管
本专利技术涉及高电子迁移率晶体管，特别涉及一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管。
技术介绍
电力电子器件广泛应用于家用电器、工业设备、电动汽车等众多领域。新一代电力电子器件面临着巨大的挑战，要求其具有更高效率、更高功率密度和可在高温环境下可靠工作。目前，电力电子器件中普遍采用硅基的功率器件，如MOSFET和IGBT。但是硅电力电子器件经过长期的发展，性能已经趋近其材料的理论极限，逐渐不能满足新一代电力电子器件对高压、高频、高效和小体积的要求。第三代宽禁带半导体材料GaN具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定等特点。因此，基于GaN材料的电力电子器件具有通态电阻小、开关速度快、耐压高、耐高温性能好等优点。另一方面，GaN可以生长在Si,SiC及蓝宝石上。在价格低、工艺成熟、直径大的Si衬底上生长的GaN器件具有低成本的优点。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种基于GaN材料的电力电子器件。通过形成外延的AlGaN/GaN异质结，极化电场有效的调制了GaN的能带结构以及电荷的分布。这导致高电子迁移率晶体管在未人为掺杂的情况下，也能够形成面密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米线GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。

【技术特征摘要】
1.纳米线GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。2.根据权利要求1所述的纳米线GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，刘智崑，李媛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44