绝缘栅双极性晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极性晶体管
本说明书所公开的技术涉及一种绝缘栅双极性晶体管(IGBT)。
技术介绍
专利文献1中公开了具有矩形沟槽的IGBT。在矩形沟槽内配置有栅电极。在被矩形沟槽包围的矩形区域(半导体区域)内配置有发射区(n型区域)、体接触区(p+型区域)、低浓度体区(p-型区域)等。发射区与发射极与矩形沟槽(即，栅绝缘膜)相接。体接触区与发射极相接。低浓度体区的一部分被配置在半导体基板的表层部上，且在此处与发射极和矩形沟槽相接。此外，低浓度体区的另一部分被配置于发射区与体接触区的下侧，并在发射区的下侧与矩形沟槽相接。此外，半导体基板具有漂移区与集电区。漂移区为被配置于低浓度体区的下侧的n型区域。集电区为被配置于漂移区的下侧的p型区域。集电区与集电极相接。当该IGBT导通时，空穴从集电极向发射极流动，电子从发射极向集电极流动。当空穴从漂移区流入到矩形区域内的低浓度体区等时，空穴将避开矩形沟槽而流动。因此，在矩形沟槽的附近的漂移区中，空穴的浓度变高。尤其是，在矩形沟槽的各个沟槽的连接部(角落部)的附近的漂移区中，由于避开两个沟槽而流动的空穴集中，因此空穴的浓度变得非常高。因此，在连接部的附近本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极性晶体管，具备：半导体基板；发射极，其被配置在所述半导体基板的上表面上；集电极，其被配置在所述半导体基板的下表面上；矩形沟槽，其在所述上表面上以矩形形状而延伸；栅电极，其被配置在所述矩形沟槽内，并且通过绝缘膜而与所述半导体基板以及所述发射极绝缘，所述矩形沟槽具备：第一沟槽，其在所述上表面上以直线状而延伸；第二沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第一连接部而与所述第一沟槽连接；第三沟槽，其在所述上表面上向与所述第二沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第二连接部而与所述第二沟槽连接；第四沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽以及所述第三沟槽不同的...

【技术特征摘要】
2015.12.08 JP 2015-2396241.一种绝缘栅双极性晶体管，具备：半导体基板；发射极，其被配置在所述半导体基板的上表面上；集电极，其被配置在所述半导体基板的下表面上；矩形沟槽，其在所述上表面上以矩形形状而延伸；栅电极，其被配置在所述矩形沟槽内，并且通过绝缘膜而与所述半导体基板以及所述发射极绝缘，所述矩形沟槽具备：第一沟槽，其在所述上表面上以直线状而延伸；第二沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第一连接部而与所述第一沟槽连接；第三沟槽，其在所述上表面上向与所述第二沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第二连接部而与所述第二沟槽连接；第四沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽以及所述第三沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第三连接部而与所述第三沟槽连接，并通过第四连接部而与所述第一沟槽连接，所述栅电极跨及所述第一沟槽的内部、所述第二沟槽的内部、所述第三沟槽的内部以及所述第四沟槽的内部而配置，所述半导体基板具备：发射区，其为n型，并被配置在被所述矩形沟槽所包围的矩形区域内，且与所述发射极相接；体接触区，其为p型，并被配置在所述矩形区域内，且与所述发射极相接；表层体区，其为p型，并被配置在所述矩形区域内，且与所述发射极相接，并且与所述体接触区相比p型杂质浓度较低；分离体区，其为p型，且相对于所述发射区、所述体接触区以及所述表层体区而从下侧相接，并与所述第一沟槽至第四沟槽相接，并且与所述体接触区相比p型杂质浓度较低...

【专利技术属性】
技术研发人员：大河原淳，妹尾贤，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP