半导体装置中的局部自偏压隔离制造方法及图纸

一种装置包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型。所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触。所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置中的局部自偏压隔离
本专利技术的实施例涉及半导体装置。
技术介绍
集成电路(IC)和其它电子装置通常包括互连场效应晶体管(FET)的布置，也被称为金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(MOSFET)或简称为MOS晶体管或装置。典型的MOS晶体管包括作为控制电极的栅极电极和间隔开的源极电极和漏极电极。施加到栅极电极的控制电压控制穿过源极电极与漏极电极之间的可控制导电通道的电流的流动。功率晶体管装置被设计成耐受存在于功率应用中的高电流和电压，该等功率应用例如运动控制、安全气囊部署和汽车燃料喷射器驱动器。一种类型的功率MOS晶体管为横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。在LDMOS装置中，在通道区与漏极区之间提供漂移空间。LDMOS装置可被设计成在高侧配置中操作，在高侧配置中，所有装置端子相对于衬底电势而发生电平移位。已经将被配置成用于高侧操作的装置应用于DC到DC转换器中的电源开关中，DC到DC转换器具有针对高侧和低侧的相应LDMOS装置。具备高侧功能的装置被设计成阻止从LDMOS装置的主体区到下伏衬底的直接正向偏压或穿通路径。LDMOS装置通常用于涉及大于40伏的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，其特征在于，包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，所述掩埋掺杂隔离层被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，所述漏极区被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，所述耗尽区被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型，所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触；其中所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。

【技术特征摘要】
2015.12.16 US 14/971,8961.一种装置，其特征在于，包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，所述掩埋掺杂隔离层被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，所述漏极区被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，所述耗尽区被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型，所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触；其中所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述耗尽区包括：漂移区，所述漏极区被安置在所述漂移区内，且在操作期间电荷载流子漂移穿过所述漂移区以达到所述漏极区；以及耗尽阱区，所述耗尽阱区位于所述漂移区与所述掩埋掺杂隔离层之间，且与所述漂移区和所述掩埋掺杂隔离层接触。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，另外包括被安置在所述半导体衬底中、在所述漂移区下且与所述漂移区接触的掩埋阱区，其中所述掩埋阱区与所述耗尽阱区接触，且具有与所述漂移区和所述耗尽阱区相反的导电类型以耗尽所述漂移区和所述耗尽阱区。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述掩埋阱区为具有匹配所述漂移区的布局的布局的浮动区。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述掩埋阱区被所述耗尽阱区横向环绕，且通过具有所述相反导电类型和低于所述掩埋阱区的掺杂剂浓度水平的所述半导体衬底的一部分而与所述掩埋掺杂隔离层间隔开。6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述耗尽阱区具有低于所述漂移区的掺杂剂浓度水平。7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，另外包括：栅极结构，所述栅极结构由所述半导体衬底支撑；以及主体区，所述主体区在所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：林欣，左江凯，杨红凝，程序，张志宏，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US