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一种装置包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导...
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