半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：衬底；栅极结构，形成于衬底上；源极区与漏极区，形成于栅极结构的任一侧上的衬底中，源极区与漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中介电层的第一部分形成于栅极结构的一部分上，以及介电层的第二部分形成于衬底上并且延伸到漏极区的一部分，其中介电层包含至少一凹部于第二部分上。本发明专利技术实施例还提供一种相关的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本揭示涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经历快速成长。IC材料与设计的技术进展已产生数代的IC，每一代比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进展具有越加复杂的IC处理与制造，以及为了实现这些进展，IC处理与制造需要类似的发展。例如，当装置组成的半导体电路用于高电压应用时，其中所述装置例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)，关于合并高电压装置与低电压装置(例如，逻辑装置)，芯片上系统(system-on-chip，SoC)技术发生问题。再者，随着技术进展，逻辑装置的尺寸持续缩小(例如，45nm与45nm以下)，可用高注入浓度完成工艺流程以防止源极与漏极之间的冲穿(punch-through)或降低源极与漏极的阻抗，因而可能造成更大的漏电问题与装置可信赖度降低。
技术实现思路
本揭示的一些实施例提供一种半导体结构，其包含：衬底；栅极结构，形成于衬底上；源极区与漏极区，形成于栅极结构的任一侧上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底上；源极区与漏极区，形成于所述栅极结构的任一侧上的所述衬底中，所述源极区与所述漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中所述介电层的所述第一部分形成于所述栅极结构的一部分上，以及所述介电层的所述第二部分形成于所述衬底上并且延伸到所述漏极区的一部分，其中所述介电层包含至少一凹部于所述第二部分上。

【技术特征摘要】
2015.12.31 US 62/273,473;2016.05.05 US 15/147,6351.一种半导体结构，其包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底上；源极区与漏极区，形成于所述栅极结构的任一侧上的所述衬底中，所述源极区与所述漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中所述介电层的所述第一部分形成于所述栅极结构的一部分上，以及所述介电层的所述第二部分形成于所述衬底上并且延伸到所述漏极区的一部分，其中所述介电层包含至少一凹部于所述第二部分上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中多个侧壁间隔物形成于所述栅极结构的每一侧上。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述至少一凹部位于所述漏极区与接近所述漏极区的所述侧壁间隔物之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述至少一凹部向下延伸并且在穿过所述介电层的所述第二部分之前停止。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述至少一凹部的宽度与所述介电层的所述第二部分的宽度的比例范围为从约0.2到约0.3。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述至少一凹部的深度与所述介电层的所述第二部分的厚度的比例范围为从...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宏祥，吴国铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71