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本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：衬底；栅极结构，形成于衬底上；源极区与漏极区，形成于栅极结构的任一侧上的衬底中，源极区与漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中介电层的第一部分形成于栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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