半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层，位于所述半导体层一侧的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极，位于所述半导体一侧与所述源极、栅极和漏极同层设置的至少两种介电系数不同的介质，及位于所述介质上远离半导体层的一侧的场板。当加载偏置电压时，所述半导体器件内能形成等效阶梯场板或等效斜场板，拉低栅极近漏端的电场尖峰，平抑场板终端的电场尖峰，使得器件内电场分布更加均匀，提高了半导体器件的整体耐压及可靠性。

Semiconductor device and manufacturing method thereof

The invention relates to the technical field of semiconductor and semiconductor manufacturing, in particular to a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes a semiconductor layer positioned on one side of the semiconductor layer and the source and drain in the source and the gate drain between, is on the semiconductor side and the source, and at least two gate dielectric constant drain layer with different medium. And in the medium from the semiconductor layer on the side of the field plate. When loading the bias voltage, the semiconductor device can form the equivalent step field plate or equivalent oblique field plate, low gate leakage peak electric field near end, stabilize the electric field peak field plate terminal, making more uniform electric field distribution device, improve the overall pressure and the reliability of semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体及半导体制造
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
工作在高漏源电压下的普通场效应半导体器件，其栅极靠近漏端一侧附近会形成一个高电场尖峰。这种局部区域的高电场可以引起高漏电甚至材料击穿，从而降低器件的击穿电压。同时，随着时间的增加，高电场也会引起器件的半导体材料退化、变性，进而影响器件的可靠性，降低器件使用寿命。所以，在实际器件的结构设计和工艺研发中，需降低栅极近漏边缘的强电场以提高器件的击穿电压并获得优良的可靠性。目前，降低栅极附近的强电场一般是在栅极靠漏端一侧放置场板，场板通常与源极或栅极相连，在栅漏区域产生一个附加电势，可以有效地平抑栅极近漏端边沿附近的电场尖峰，从而提高器件击穿电压及器件可靠性。由于这种场板的底部与器件半导体材料表面是平行的，在减小靠近栅极边缘的电场尖峰同时，会在场板终端附近形成一个新的较小电场尖峰。这个新出现的电场尖峰峰值会随着场板长度的增加而增加，容易造成场板终端区域器件击穿或失效，使得器件击穿问题没有得到根本解决，只是将矛盾从一个地方转移到了另一个地方。此外，场板过长还会产生较大的寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；位于所述半导体层一侧的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极；位于所述半导体一侧，在所述栅极和漏极之间的至少两种介电系数不同的介质；及位于所述介质上远离半导体层一侧的场板。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；位于所述半导体层一侧的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极；位于所述半导体一侧，在所述栅极和漏极之间的至少两种介电系数不同的介质；及位于所述介质上远离半导体层一侧的场板。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两种介电系数不同的介质中，靠近所述栅极的介质的介电系数大于远离所述栅极的介质的介电系数。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两种介电系数不同的介质包括第一介质和第二介质，所述第一介质靠近所述栅极，所述第二介质位于所述第一介质和所述漏极之间，所述场板靠近所述漏极的一端位于所述第二介质上，所述第一介质和第二介质相连，所述第一介质的介电系数大于所述第二介质的介电系数。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质和第二介质的连接处为一平面，所述平面与所述半导体层的表面之间的夹角大于0°且小于或等于180°。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质和第二介质的连接处为曲面。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质在和第二介质的连接处具有第一阶梯部，所述第二介质在和第一介质的连接处具有与所述第一阶梯部匹配的第二阶梯部。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两种介电系数不同的介质包括第一介质、第二介质和第三介质，所述第一介质靠近所述栅极，所述第三介质靠近所述漏极，所述第二介质连接于所述第一介质与第三介质之间，所述第一介质的介电系数大于所述第二介质，所述第二介质的介电系数大于所述第三介质。8.根据权利要求3-7任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述场板与所述源极连接并从栅极上方向所述漏极的方向延伸，并至少延伸至所述第二介质上方。9.根据权利要求3-7任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述场板与所述栅极连接并从所述栅极向所述漏极的方向延伸，并至少延伸至所述第二介质上方。10.根据权利要求1-7任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括半导体衬底及在半导体衬底上生...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元，
申请(专利权)人：苏州捷芯威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32