背照式传感器的制造方法及版图结构技术

本发明专利技术提供一种背照式传感器的制造方法及版图结构，所述版图结构中，金属栅格层的范围至少覆盖保护层靠近像素区的像素层的边界，从而在所述制造方法中，根据新的版图结构制造背照式传感器的金属栅格时，保护层与像素层的台阶处的金属不需要被蚀刻掉，从而避免金属残余缺陷，避免影响像素区的透光率，从而提高了最终制得的背照式图像传感器芯片的性能。

Manufacturing method and layout structure of back illuminated sensor

The invention provides a manufacturing method of back illuminated sensor and layout structure, the layout structure, the pixel level range of a metal grid layer covering at least a protective layer of the pixel region near the border, and in the manufacturing method, according to the metal grid illuminated sensor manufacturing layout structure when new step, protection layer and a pixel layer metal does not need to be etched, thereby avoiding metal residual defects, avoid the influence of light pixel area rate, so as to improve the performance of the final prepared back illuminated image sensor chip.

【技术实现步骤摘要】
背照式传感器的制造方法及版图结构
本专利技术涉及背照式传感器制造
，尤其涉及一种背照式传感器的制造方法及版图结构。
技术介绍
背照式(BSI)传感器的光是从衬底的背面而不是正面进入衬底的，因为减少了光反射，BSI传感器能够比前照式传感器捕捉更多的图像信号。目前，三维堆叠背照式传感器(UTS)通过硅穿孔(TSV:throughSiVia)将逻辑运算芯片与像素(光电二极管)阵列芯片进行三维集成，一方面在保持芯片体积的同时，提高了传感器阵列尺寸和面积，另一方面大幅度缩短功能芯片之间的金属互联，减小发热、功耗、延迟，提高了芯片性能。在三维堆叠背照式传感器(UTS)中，设置金属栅格，并利用金属栅格(metalgrid)的不透光特性，防止不同像素(光电二极管)之间的光的串扰，但是这种金属栅格层工艺一直存在一些问题，其中金属栅格层蚀刻的残留缺陷，会影响像素区的透光率，使得成像不均匀，从而影响背照式传感器芯片的性能，这是本领域技术人员所不愿意看到的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种背照式传感器的制造方法及版图结构，能够明显消除金属栅格蚀刻的残余缺陷问题。为解决上述问题，本专利技术提出一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背照式传感器的版图结构，其特征在于，包括逻辑区和像素区，所述逻辑区包括硅穿孔层和覆盖在所述硅穿孔层上的保护层；所述像素区包括像素层和覆盖在所述像素层上的金属栅格层，至少所述保护层面向所述像素层的边界线被所述金属栅格层覆盖。

【技术特征摘要】
1.一种背照式传感器的版图结构，其特征在于，包括逻辑区和像素区，所述逻辑区包括硅穿孔层和覆盖在所述硅穿孔层上的保护层；所述像素区包括像素层和覆盖在所述像素层上的金属栅格层，至少所述保护层面向所述像素层的边界线被所述金属栅格层覆盖。2.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述保护层从所述逻辑区延伸至所述像素区内且暴露出所述像素区内的像素层。3.如权利要求2所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述金属栅格层在所述像素区内覆盖所述保护层面向所述像素层的边界线，或者所述金属栅格层在所述像素区内覆盖所述保护层所有的边界线。4.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述金属栅格层从所述像素区延伸至所述逻辑区内。5.如权利要求4所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述金属栅格层在所述逻辑区内覆盖所述保护层面向所述像素层的边界线，或者所述金属栅格层在所述逻辑区内覆盖所述保护层所有的边界线。6.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述金属栅格层覆盖所述保护层所有的边界线。7.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述保护层为单层结构或者至少两层堆叠而成的复合层结构。8.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述金属栅格层包括覆盖在所述像素层上的粘合层和覆盖在所述粘合层上的金属层。9.如权利要求1所述的背照式传感器的版图结构，其特征在于，所述像素层包括光电二极管和驱动所述光电二极管的晶体管。10.一种背照式传感器的制造方法，其特征在于，根据权利要求1至9中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：占琼，朱继锋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42