一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够减小TFT自身的寄生电容。薄膜晶体管，包括栅极、源极以及漏极，栅极和/或所述源极上形成有第一开口部，第一开口部至少位于栅极与源极重叠的区域内；和/或，栅极和/或漏极上形成有第二开口部，第二开口部至少位于栅极与漏极重叠的区域内。

【技术实现步骤摘要】
201610068697

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、源极以及漏极，其特征在于，所述栅极和/或所述源极上形成有第一开口部，所述第一开口部至少位于所述栅极与所述源极重叠的区域内；和/或，所述栅极和/或所述漏极上形成有第二开口部，所述第二开口部至少位于所述栅极与所述漏极重叠的区域内。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极以及漏极，其特征在于，所
述栅极和/或所述源极上形成有第一开口部，所述第一开口部至少位于
所述栅极与所述源极重叠的区域内；
和/或，
所述栅极和/或所述漏极上形成有第二开口部，所述第二开口部至
少位于所述栅极与所述漏极重叠的区域内。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包
括至少一个U型第一工作部，所述第一开口部为U型通孔，每一个所
述第一工作部上，沿所述第一工作部的轮廓设置有一个所述U型通孔。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U型第
一工作部的内侧边到所述第一开口部的距离相等。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包
括至少一个条形第二工作部；
所述第二开口部为条形通孔，每一个所述第二工作部上，沿所述
第二工作部的轮廓设置有一个所述条形通孔。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包
括至少一个U型的第二工作部；
所述第二开口部为一个U型通孔，每一个所述第二工作部上，沿
所述第二工作部的轮廓设置有一个所述U型通孔。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U型第
二工作部的内侧边到所述第二开口部的距离相等。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐智坚，杨妮，余道平，顾可可，侯宇松，刘信，陈帅，苟中平，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85