TFT基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板及其制作方法，该TFT基板通过对TFT(400)中的有源层(410)的结构进行改进，使得有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，能够有效减弱有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中载流子的浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。本发明专利技术的TFT基板的制作方法，能够有效减弱TFT(400)中有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中的载流子浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。

【技术实现步骤摘要】
201610228341

【技术保护点】
一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、及设置在所述衬底基板(100)上的TFT(400)；所述TFT(400)包括：有源层(410)、设置在所述有源层(410)上的栅极绝缘层(420)、设置在所述栅极绝缘层(420)上且水平位置与有源层(410)对应的栅极(430)、设置在所述栅极(430)及栅极绝缘层(420)上的层间介电层(440)、及设置在所述层间介电层(440)上的源极(450)及漏极(460)；沿所述栅极(430)的长度方向，所述有源层(410)至少包括位于中间的第一区域(411)、及位于所述第一区域(411)两侧的第二区域(412)，且所述第一区域(411)的厚度大...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、及设置在所
述衬底基板(100)上的TFT(400)；
所述TFT(400)包括：有源层(410)、设置在所述有源层(410)上的
栅极绝缘层(420)、设置在所述栅极绝缘层(420)上且水平位置与有源层
(410)对应的栅极(430)、设置在所述栅极(430)及栅极绝缘层(420)上
的层间介电层(440)、及设置在所述层间介电层(440)上的源极(450)及
漏极(460)；
沿所述栅极(430)的长度方向，所述有源层(410)至少包括位于中间
的第一区域(411)、及位于所述第一区域(411)两侧的第二区域(412)，且
所述第一区域(411)的厚度大于第二区域(412)的厚度，使得所述有源层
(410)的两侧均具有至少一个台阶。
2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述有源层(410)的
两侧均具有一个台阶。
3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，还包括：设置在所述衬
底基板(100)与TFT(400)之间的遮光层(200)与缓冲层(300)、设置在
所述TFT(400)上的平坦化层(500)、设置在所述平坦化层上(500)上的
底层电极(600)、设置在所述底层电极(600)上的钝化层(700)、及设置在
所述钝化层(700)上的顶层电极(800)。
4.如权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述有源层(410)与
遮光层(200)相对应，且所述遮光层(200)在水平方向上完全覆盖所述有
源层(410)。
5.如权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(420
)和层间介电层(440)上对应有源层(410)两端的位置设有第一通孔(910
)及第二通孔(920)，所述源极(450)与漏极(460)分别通过第一通孔(
910)及第二通孔(920)与有源层(410)的两端连接；
所述平坦化层(500)上对应漏极(460)的位置设有第三通孔(930)，
所述顶层电极(800)通过第三通孔(930)与漏极(460)连接。
6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(100)，在所述衬底基板(100)上形成半导体
材料层(10)，并在所述半导体材料层(10)上形成光刻胶层(11)，采用一
道光罩(15)对所述光刻胶层(11)进行曝光、显影，得到光刻胶图案
(20)，沿栅极的长度方向，所述光刻胶图案(20)至少包括位于中间的第一
光刻胶段(21)、及位于两侧的第二光刻胶段(22)，且所述第一光刻胶段
(21)的厚度大于所述第二光刻胶段(22)的厚度；
步骤2、采用对所述光刻胶图案(20)与半导体材料层(10)均能进行蚀
刻的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42