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本发明提供一种TFT基板及其制作方法，该TFT基板通过对TFT(400)中的有源层(410)的结构进行改进，使得有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，能够有效减弱有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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