超级结器件制造技术

本发明专利技术公开了一种超级结器件，在N型外延中具有平行的P柱沟槽，P柱沟槽之间为体区，在体区与P柱的交界处具有沟槽型栅极；所述沟槽型栅极是沟槽内壁附着氧化层后填充多晶硅形成，P柱与体区通过沟槽型栅极隔离。本发明专利技术通过新的沟槽型栅极的位置，通过沟槽型栅极将P柱与体区隔离开来，在缩小沟槽间距的同时保证沟道附近有足够的电流导通区域保证导通电阻不受影响。P柱与体区的隔离也可以对P柱和体区的电势分别进行调节，进而控制器件的关断速度。

【技术实现步骤摘要】
201610065809

【技术保护点】
一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有平行的P柱沟槽，P柱沟槽之间为体区，在体区与P柱的交界处具有沟槽型栅极；所述沟槽型栅极是沟槽内壁附着氧化层后填充多晶硅形成。

【技术特征摘要】
1.一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有平行的P柱沟槽，P柱沟槽之
间为体区，在体区与P柱的交界处具有沟槽型栅极；所述沟槽型栅极是沟槽内壁附着氧
化层后填充多晶硅形成。
2.如权利要求1所述的超级...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31