深沟槽型超级结器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽型超级结器件的制造方法，通过将衬底的背封从Poly+LTO变更为LTO+Poly，防止了在工艺流程中漏在外面的背封LTO被湿法工艺步骤所去除，第二N型外延层成长时LTO会被Poly保护而均仍存在，衬底中重掺杂的元素不会外扩而导致第二N型外延层的掺杂异常，在不带来应力问题的情况下，解决了现有工艺在第二N型外延层的高温生长过程中衬底中的掺杂外扩的问题，能有效改善深沟槽型超级结器件反向击穿电压等电学特性。

【技术实现步骤摘要】
201610064082

【技术保护点】
一种深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在晶圆的第一N型外延层表面形成第一ONO介质层；所述第一ONO介质层自上而下分别为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；第一N型外延层下面为N型重掺杂衬底；N型重掺杂衬底下面为低温氧化物；低温氧化物下面为多晶硅层；低温氧化物和多晶硅层为背封；二.采用光刻工艺以光刻胶在第一ONO介质层上定义出第一层沟槽的图形，然后利用干法刻蚀，将第一层沟槽处的第一ONO介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第一ONO介质层作为硬掩模进行第一层沟槽的刻蚀；三.用湿法条件去除第一ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化硅，然后在第一层沟槽内做第一p...

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.在晶圆的第一N型外延层表面形成第一ONO介质层；
所述第一ONO介质层自上而下分别为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；
第一N型外延层下面为N型重掺杂衬底；
N型重掺杂衬底下面为低温氧化物；
低温氧化物下面为多晶硅层；
低温氧化物和多晶硅层为背封；
二.采用光刻工艺以光刻胶在第一ONO介质层上定义出第一层沟槽的图形，然后利
用干法刻蚀，将第一层沟槽处的第一ONO介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第一ONO
介质层作为硬掩模进行第一层沟槽的刻蚀；
三.用湿法条件去除第一ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化
硅，然后在第一层沟槽内做第一p型立柱外延填充，然后CMP工艺去除晶圆表面成长的
Si，并利用湿法刻蚀去除剩余的第一ONO介质层的第一氧化硅，完成第一p型立柱制作；
四.在完成第一p型立柱的晶圆上，通过与第一p型立柱对准，制作对准标记；
五.在完成第一p型立柱及对准标记的晶圆上进行牺牲氧化，然后生长第二N型外
延层；
六.在第二N型外延层上淀积第二ONO介质层，所述第二ONO介质层自上而下分别
为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；
七.采用光刻工艺与所述对准标记对准，以光刻胶在第二ONO介质层上相应于第一
p型立柱的位置定义出第二层沟槽的图形，并利用干法刻蚀将第二层沟槽处的第二ONO
介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第二ONO介质层作为硬掩模进行第二层沟槽的刻蚀，
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31