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本发明公开了一种深沟槽型超级结器件的制造方法，通过将衬底的背封从Poly+LTO变更为LTO+Poly，防止了在工艺流程中漏在外面的背封LTO被湿法工艺步骤所去除，第二N型外延层成长时LTO会被Poly保护而均仍存在，衬底中重掺杂的元素不会...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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