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本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够减小TFT自身的寄生电容。薄膜晶体管，包括栅极、源极以及漏极，栅极和/或所述源极上形成有第一开口部，第一开口部至少位于栅极与源极重叠的区域内；和/或，栅极...该专利属于重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。