剥离方法技术

本发明专利技术提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，该将在蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的正面 隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板。
技术介绍
在光器件制造工艺中，在呈大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的 正面上隔着缓冲层形成有由η型半导体层和p型半导体层构成的光器件层，该η型半导体 层和P型半导体层由GaN(氮化镓）等构成，在由呈格子状形成于光器件层处的多个切割道 划分的多个区域处形成发光二极管、激光二极管等的光器件并构成光器件晶片。然后，通过 沿切割道分割光器件晶片，制造各个光器件（例如，参照专利文献1)。 并且，作为提高光器件的亮度的技术，下述专利文献2公开了一种被称作剥离的 制造方法：将在构成光器件晶片的蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的正面隔着缓冲层层 叠的由η型半导体层和ρ型半导体层构成的光器件层借助于AuSn (金锡）等的接合材料接 合到钼（Mo)、铜（Cu)或者硅（Si)等的移设基板处，从外延基板的背面侧透过外延基板照射 由缓冲层吸收的波长的激光光线并破坏缓冲层，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器 件层转移到移设基板。 【专利文献1】日本特开平10 - 305420号公报 【专利文献2】日本特开2004 - 72052号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 然而，在从外延基板的背面侧使聚光点定位在缓冲层来照射激光光线并破坏缓冲 层时，有时不能充分破坏缓冲层，存在不能顺利剥离外延基板的问题。 并且，在为了提高光器件的品质而在外延基板的正面形成有多个细微的凹凸的情 况下，存在的问题是，即使利用激光光线的照射破坏缓冲层，也难以利用形成在外延基板的 正面的多个细微凹凸剥离外延基板。 本专利技术是鉴于上述事实而作成的，本专利技术的主要技术课题是提供一种， 该即使在无法充分破坏缓冲层的情况下也可以顺利剥离外延基板的。 用于解决问题的手段 为了解决上述主要技术课题，根据本专利技术，提供了一种，将在外延基板的 正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，所述 的特征在于，包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接 合移设基板而形成复合基板； 缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照 射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以 及 光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥 离并将光器件层移设到移设基板， 该光器件层移设工序是在向复合基板施加超声波振动并且实施的。 在上述光器件层移设工序中，向形成复合基板的外延基板和移设基板中的任意一 方的面施加超声波振动，在作为外延基板与移设基板的边界部的缓冲层插入楔，将外延基 板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 在上述光器件层移设工序中，向形成复合基板的外延基板和移设基板中的任意一 方的面施加第1超声波振动，在作为外延基板与移设基板的边界部的缓冲层插入楔并向该 楔施加第2超声波振动，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 上述第1超声波振动和该第2超声波振动被设定为不同频率。 在上述光器件层移设工序中，在作为形成复合基板的外延基板与移设基板的边界 部的缓冲层插入楔并且向该楔施加超声波振动，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层 移设到移设基板。 在上述光器件层移设工序中，在作为形成复合基板的外延基板与移设基板的边界 部的缓冲层插入从形成在末端的细孔喷出空气的楔并且向该楔施加超声波振动，将外延基 板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 在上述光器件层移设工序中，在作为形成复合基板的外延基板与移设基板的边界 部的缓冲层插入从形成在末端的细孔喷出水的楔并向该楔施加超声波振动，将外延基板从 光器件层剥离并且将光器件层移设到移设基板。 在上述光器件层移设工序中，将复合基板浸渍到水中并施加超声波振动，将外延 基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 在上述光器件层移设工序中，加热复合基板并且向外延基板和移设基板中的任意 一方的面施加超声波振动，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 上述光器件层移设工序向形成复合基板的外延基板施加第1超声波振动并向移 设基板施加第2超声波振动，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。 上述第1超声波振动和该第2超声波振动被设定为不同频率。 专利技术效果 本专利技术的包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借 助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的光器 件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的 波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之 后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序是在向 复合基板施加超声波振动并且实施的，因而即使在缓冲层破坏工序中未充分破坏缓冲层的 情况下，也可以将外延基板从光器件层容易剥离并将光器件层移设到移设基板。 并且，由于光器件层移设工序是向复合基板施加超声波振动来实施的，因而即使 在为了提高光器件的品质而在外延基板的正面形成有多个细微凹凸的情况下，也可以将外 延基板从光器件层容易剥离并将光器件层移设到移设基板。【附图说明】 图1是形成有光器件层的光器件晶片的立体图和要部放大剖视图。 图2是不出移设基板接合工序的说明图。 图3是用于实施缓冲层破坏工序的激光加工装置的立体图。 图4是示出缓冲层破坏工序的说明图。 图5是示出光器件层移设工序的第1实施方式的说明图。 图6是示出光器件层移设工序的第2实施方式的说明图。 图7是示出光器件层移设工序的第3实施方式的说明图。 图8是示出光器件层移设工序的第4实施方式的说明图。 图9是示出光器件层移设工序的第5实施方式的说明图。 图10是示出光器件层移设工序的第6实施方式的说明图。 图11是示出光器件层移设工序的第7实施方式的说明图。 图12是示出光器件层移设工序的第8实施方式的说明图。 图13是示出光器件层移设工序的第9实施方式的说明图。 标号说明 2 :光器件晶片 21 :外延基板 22 :光器件层 23 :缓冲层 3 :移设基板 4 :接合材料层 200 :复合基板 5 :激光加工装置 51 :激光加工装置的卡盘工作台 52:激光光线照射构件 522 :聚光器 6 :保持台 7:吸引垫 8 :楔 9 :水槽【具体实施方式】 以下，参照附图对本专利技术的的优选实施方式进行详细说明。 图1的（a)和（b)示出利用本专利技术的转移到移设基板的形成有光器件层 的光器件晶片的立体图和要部放大剖视图。 图1的（a)和（b)所示的光器件晶片2是如下形成的，在直径为50mm且厚度为 600 μ m的呈圆板形状的由蓝宝石基板构成的外延基板21的正面21a，通过外延成长法形成 有由η型氮化镓半导体层221和p型氮化镓半导体层222构成的光器件层22。另外，在外 延基板21的正面通当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种剥离方法，将在外延基板的正面上隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，所述剥离方法的特征在于，包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面上借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，该光器件层移设工序是在向复合基板施加超声波振动的同时实施的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小柳将，武田昇，森数洋司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP