集成电路结构和电池结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电路结构和电池结构。根据各种实施例，一种集成电路结构可以包含：电子电路，被布置在载体的表面上；以及固态电解质电池，被至少部分地布置在该载体内，其中在载体内布置的固态电解质电池的至少部分沿着与该载体的表面平行的方向与电子电路重叠。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及集成电路结构和电池结构。根据各种实施例，一种集成电路结构可以包含：电子电路，被布置在载体的表面上；以及固态电解质电池，被至少部分地布置在该载体内，其中在载体内布置的固态电解质电池的至少部分沿着与该载体的表面平行的方向与电子电路重叠。【专利说明】集成电路结构和电池结构
各种实施例大体涉及集成电路结构和电池结构。
技术介绍
在半导体工业中，各种工艺被利用来制造电子器件，诸如集成电路、存储器芯片、传感器等。除了这个之外，可能所希望的是，使用类似的制作技术(如它们在半导体工业中被使用)来发展用于电池(例如，薄膜电池)的制作工艺。当前的薄膜淀积技术可以允许在薄膜技术中形成电池或形成可再充电的电池的功能层的制作。大体上，被形成在晶片或衬底上的电子电路可以被空间节省地设计，使得该电子电路可以针对该电路的具体设计消耗尽可能小的或所希望那么小的晶片的表面上的空间，从而导致更有效的制造工艺和/或增加的产量。
技术实现思路
根据各种实施例，一种集成电路结构可以包含:电子电路，被布置在载体的表面上；以及固态电解质电池，被至少部分地布置在该载体内，其中在载体内布置的固态电解质电池的至少部分沿着与该载体的表面平行的方向与电子电路重叠。 【专利附图】【附图说明】 在附图中，相似的参考字符贯穿不同的视图大体指的是相同的部分。附图不必按比例绘制，而是大体上把重点放在图示本专利技术的原理上。在下面的描述中，参考下面的附图描述本专利技术的各种实施例，其中:图1示出根据各种实施例的集成电路结构的示意性视图；图2A和2B分别示出根据各种实施例的集成电路结构的示意性视图；图3以流程图示出根据各种实施例的用于制造集成电路结构的方法； 图4A至4M分别示出根据各种实施例的在制造期间的集成电路结构的示意性视图；图4M示出根据各种实施例的包含电子电路和固态电解质电池的集成电路结构；图5A和5B分别示出根据各种实施例的被包含在集成电路结构中的固态电解质电池的层叠堆的横截面；图6示出根据各种实施例的用于制造电池结构的方法的流程图；以及图7A和7B分别示出根据各种实施例的电池结构的示意性视图。 【具体实施方式】 下面的详细描述参考附图，附图通过图示的方式示出了在其中可以实施本专利技术的具体细节和实施例。 关于在侧或表面“上方”所形成的淀积的材料或在载体的“上方”淀积层所使用的词语“上方”可以在这里被使用来意味着淀积的材料可以在隐含的侧、表面或载体“上面直接地”(例如直接接触)被形成。关于在侧或表面“上方”所形成的淀积的材料或在载体的“上方”淀积层所使用的词语“上方”可以在这里被使用来意味着淀积的材料可以在隐含的侦U、表面或载体“上面直接地”被形成，其中一个或多个附加的层被布置在隐含的侧、表面或载体与淀积的材料之间。 关于结构的(或载体的)“横向的”延伸或“横向地”重叠的所使用的术语“横向的”可以在这里被使用来意味沿着与载体的表面平行的方向的延伸。那意味着载体的表面(例如，衬底的表面或晶片的表面)可以用作参考，共同地被称为晶片的主处理的表面(或另一种类型的载体的主处理的表面)。进一步，关于结构的(或结构元件例如腔体的)“宽度”所使用的术语“宽度”可以在这里被使用来意味结构的横向的延伸。进一步，关于结构的(或结构元件的)高度所使用的术语“高度”可以在这里被使用来意味沿着与载体的表面正交的(例如，与载体的主处理的表面正交)方向的结构的延伸。 关于覆盖结构(或结构元件)的淀积的材料所使用的词语“覆盖”可以在这里被使用来意味着淀积的材料可以完全覆盖结构(或结构元件)，例如，覆盖结构的所有暴露的侧和表面。关于覆盖结构(或结构元件)的淀积的材料所使用的词语“覆盖”可以在这里被使用来意味着淀积的材料可以至少部分地覆盖结构，例如，材料可以至少部分地覆盖结构的暴露的侧和表面。 根据各种实施例，在这里所描述的形成层(例如，淀积层、淀积材料和/或施加分层工艺)还可以包含形成层，其中该层可以包含各种子层，由此，不同子层可以分别包含不同的材料。换言之，各种不同子层可以被包含在层中，或各种不同区域可以被包含在淀积的层中和/或在淀积的材料中。 因为可能有许多在半导体处理中(例如，在集成电路、芯片或电池的制造期间，例如，在处理包含电池结构的载体或晶片期间)所使用的通常依次被执行的个别的工艺，所以几个基本的制造技术在整个制造工艺期间可以被使用至少一次。下面基本技术的描述应当被理解为图示示例，其技术可以被包含在这里所描述的工艺中。示例性描述的基本技术可以不必需要被解释为优选于或有利于其他技术或方法，因为它们仅用于图示本专利技术的一个或多个实施例可以如何被实施。为了简明的缘故，示例性描述的基本技术的图示可以仅是短的综述并且不应当被认为详尽的说明。 根据各种实施例，下面的技术中的至少一个可以被使用于制造集成电路结构或电池结构，如在这里所描述。根据各种实施例，在下面所描述的技术中的至少一个可以被包含在用于制造集成电路结构的方法中或在用于制造电池结构的方法中，或例如在用于制造包含薄膜电池结构的集成电路的方法中，如在这里所描述。 根据各种实施例，至少一个分层或至少一个分层工艺可以被使用在用于制造集成电路结构或电池结构的方法中，如在这里所描述。在分层工艺中，根据各种实施例，可以使用淀积技术在表面上(例如，在载体上、在晶片上、在衬底上、在另一个层上、在多个结构元件上等)淀积层(大体还被称为膜或薄膜)，该淀积技术可以包含化学气相淀积(CVD或CVD工艺)和/或物理气相淀积(PVD或PVD工艺)。淀积的层的厚度依赖于它的具体功能可以在几个纳米一直到几个微米的范围内。淀积的层的厚度可以被看作沿着它的生长方向的淀积的层的空间延伸。可以使用原子层淀积(ALD)形成几个纳米的范围内的(例如，具有小于50nm的层的厚度)的薄层。可以使用原子层淀积(ALD)或另一种合适的共形淀积工艺(例如低压化学气相淀积(LPCVD))形成(例如，覆盖结构元件的侧墙或覆盖腔体的内部侧墙)的共形层。 根据各种实施例，依赖于淀积的层的相应的具体功能，淀积的(形成的或提供的)层可以包含电绝缘材料、电半导体材料和/或导电材料中的至少一种。根据各种实施例，可以使用CVD工艺或PVD工艺来淀积导电材料，例如铝、铝硅合金、铝铜合金、铜、镍铬铁合金(镍、铬和/或铁的合金)、钨、钛、氮化钛、钥、钼、金、碳(石墨)等。根据各种实施例，可以使用CVD工艺来淀积半导体材料，例如硅(例如，硅、多晶体硅(还被称为多晶硅)或无定形硅)、锗、半导体化合物材料，诸如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)或铟镓砷(InGaAs)。可以使用CVD工艺或PVD工艺来淀积绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物(例如，氧化铝)、有机化合物、聚合物(等)。根据各种实施例，可以使用如下面所描述的这些工艺的修改。 根据各种实施例，化学气相淀积工艺(CVD工艺)可以包含各种修改，例如大气压CVD (APCVD)JgSCVD (LPCVD)、超高真空 CVD (UHVCVD)、等离子体增强 CVD (PECVD)、高密度等离子体CVD (HDPCVD)、远距等离子体增强CVD (RPECVD)、原子层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，包括：电子电路，被布置在载体的表面上；以及固态电解质电池，被至少部分地布置在所述载体内，其中载体内布置的固态电解质电池的至少部分沿着与所述载体的表面平行的方向与电子电路重叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M莱姆克，S特格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE