包括有源二极管区域的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及包括有源二极管区域的半导体装置，其包括：半导体主体，具有沿着垂直方向彼此相对的第一表面和第二表面。半导体装置还包括有源二极管区域，其包括：p掺杂阳极区，在半导体主体的第一表面邻接；n掺杂漂移区，被布置在阳极区和第二表面之间；以及n掺杂阴极接触区，与第二表面邻接。有源二极管区域还包括：p掺杂注入区，与第二表面和阴极接触区邻接。有源二极管区域还包括：p掺杂辅助区，被布置在漂移区和阴极接触区之间。辅助区包括第一子区和第二子区。在顶视图中，第一子区覆盖注入区的至少一部分，并且第二子区覆盖阴极接触区的至少一部分；辅助区包括：多个开口，在第二表面覆盖有源二极管区域的表面面积的0.1％到20％。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置，特别地，涉及包括有源二极管区域的半导体二极管。

技术介绍

1、在半导体二极管中，移动电荷载流子可能淹没半导体区域，并且可形成稠密电荷载流子等离子体，所述稠密电荷载流子等离子体产生半导体二极管的低正向电阻。当装置转变为阻断模式时，电荷载流子等离子体在关断时间段中被去除。关断过程对半导体二极管的动态开关损耗做出贡献。通常，去饱和机制可在切换二极管之前使电荷载流子等离子体衰减以便减小动态开关损耗。当关断二极管时，不均匀的载流子注入可能导致电流丝，所述电流丝可能局部加热并且损坏二极管。期望的是，提供具有改进的开关特性的半导体二极管。

技术实现思路

1、本公开的示例涉及一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体主体，具有沿着垂直方向彼此相对的第一表面和第二表面。半导体装置还包括有源二极管区域。有源二极管区域包括：p掺杂阳极区，与半导体主体的第一表面邻接。有源二极管区域还包括：n掺杂漂移区，被布置在阳极区和第二表面之间。有源二极管区域还包括：n掺杂阴极接触区，与第二表面邻接。有源二极管区域还包括：p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置(100)，包括：

2.如前面权利要求所述的半导体装置(100)，其中针对最小侧向范围，所述多个开口(120)中的至少两个开口(120)不同。

3.一种半导体装置(100)，包括：

4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中在顶视图中，所述第一子区(1181)、所述第二子区(1182)和所述多个开口(120)在所述第二表面(108)覆盖所述有源二极管区域(108)的所述表面面积的100％。

5.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述阴极接触区(114)与所述第二子区(1182)邻接，所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置(100)，包括：

2.如前面权利要求所述的半导体装置(100)，其中针对最小侧向范围，所述多个开口(120)中的至少两个开口(120)不同。

3.一种半导体装置(100)，包括：

4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中在顶视图中，所述第一子区(1181)、所述第二子区(1182)和所述多个开口(120)在所述第二表面(108)覆盖所述有源二极管区域(108)的所述表面面积的100％。

5.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述阴极接触区(114)与所述第二子区(1182)邻接，所述阴极接触区(114)的垂直范围处于从0.1μm到1μm的范围中，所述注入区(114)，并且所述第二子区(1182)的垂直范围处于从0.05μm到1μm的范围中。

6.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述第一子区(1181)包括p型掺杂物的垂直浓度轮廓，并且所述多个开口(120)中的至少一个开口(120)包括部分地补偿n型掺杂物的垂直浓度轮廓的p型掺杂物的垂直浓度轮廓。

7.如前面权利要求所述的半导体装置(100)，还包括：凹槽接触器，在所述第二表面(106)，所述凹槽接触器与所述多个开口(120)中的所述至少一个开口(120)邻接。

8.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述多个开口(120)中的至少一个开口(120)包括从所述第二表面延伸并且延伸穿过所述第二子区(1182)的接触尖状物的一部分。

9.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述辅助区(118)被布置为与所述阴极接触区(114)或所述注入区(116)中的每一个相隔垂直距离。

10.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置(100)，其中所述第二子区(1182)被布置为与所述阴极接触区(114)相隔垂直距离，并且所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·斯托伊布，HJ·舒尔茨，M·穆勒，D·施勒格尔，M·耶利内克，H·舒尔茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：