【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及检测装置。
技术介绍
1、在专利文献1及专利文献2中，记载了一种多个pin光电二极管排列在基板上的检测装置(在专利文献1、2中分别记载成光电传感器、光电转换元件)。多个pin光电二极管安装在多个晶体管呈矩阵状排列的所谓有源矩阵型的阵列基板上。
2、在这样的检测装置中，为了将晶体管和光电二极管电连接而设有接触孔。在专利文献1中，光电二极管设在与因接触孔形成的层差不重叠的区域。在专利文献2中，在与因接触孔形成的层差不重叠的区域设有光电二极管的p型半导体层。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2008-283113号公报
6、专利文献2：日本特开2012-39004号公报
技术实现思路
1、由于因接触孔等形成的层差而有可能在光电二极管的下部电极与上部电极之间产生漏电路径。在专利文献1及专利文献2中，由于晶体管及接触孔之间的位置关系而光电二极管的配置制约会变大。因此，光电二极管的实质的受光面积减小，检测灵敏度有可能降低。
2、本专利技术的目的在于提供一种能够抑制上下电极之间发生短路、并且抑制检测灵敏度降低的检测装置。
3、本专利技术的一个方案的检测装置具有：基板；在上述基板之上按照下部电极、半导体层及上部电极的顺序层叠而成的光电二极管；设于上述光电二极管的晶体管；和设在上述基板与上述光电二极管的层间的绝缘层以及覆盖上述绝缘层的平坦化层，上述绝缘层具有在与上述基板垂直的方向
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1.一种检测装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，具有：
3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
6.如权利要求1至5中任一项所述的检测装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的检测装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，
9.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种检测装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，具有：
3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的检测装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉山裕纪，庄司孝裕，大植善英，武田薰，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：
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