【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于处理衬底的衬底处理设备。
技术介绍
1、为了制造半导体器件或液晶显示器，在衬底上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积之类的各种工艺。在执行这样的工艺之前或之后，执行用于清洁衬底的清洁工艺，以去除在每个工艺中产生的污染物和颗粒。
2、通常，清洁工艺是向衬底供应化学液体以去除附着在衬底上的污染物和颗粒的工艺。在该清洁工艺中，化学液体从储液罐被提供到处理室，并且化学液体被供应到位于处理室中的衬底，从而执行清洁工艺。为了将化学液体供应到处理室，处理室和储液罐通过液体供应管连接。储存在储液罐中的化学液体通过液体供应管被供应到处理室。
3、另外，可以提供多个液体供应管以供应不同的化学液体。另外，根据化学液体的类型，具有大温差的化学液体可以通过一个设施内的多个液体供应管来供应。因此，通过液体供应管供应的化学液体的温度影响通过其它相邻的液体供应管供应的化学液体，并且因此，存在由于在清洁工艺中影响蚀刻速率而出现工艺缺陷的问题。
技术实现思路
1、本公开的一个...
【技术保护点】
1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述回收管具有围绕所述第一供应管的结构。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回收管与所述第一供应管间隔开，使得在所述回收管与所述第一供应管之间形成具有气穴结构的空气隔热层。
4.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回收管具有被所述第一供应管穿透的内部结构。
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中，所述第一供应管所穿过的所述回收管的两端被热密封到所述第一供应管。
6.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回...
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述回收管具有围绕所述第一供应管的结构。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回收管与所述第一供应管间隔开，使得在所述回收管与所述第一供应管之间形成具有气穴结构的空气隔热层。
4.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回收管具有被所述第一供应管穿透的内部结构。
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中，所述第一供应管所穿过的所述回收管的两端被热密封到所述第一供应管。
6.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述回收管螺旋地围绕所述第一供应管。
7.根据权利要求6所述的衬底处理设备，其中，所述回收管的彼此相邻的倾斜部分被配置成彼此紧密地接触。
8.根据权利要求6所述的衬底处理设备，其中，所述回收管与所述第一供应管间隔开，使得在具有螺旋结构的所述回收管与所述第一供应管之间形成具有气穴结构的空气隔热层。
9.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第一供应管、所述第二供应管和所述回收管设置在处理室外部。
10.一种衬底处理设备，包括：
11.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中，所述主喷嘴头安装在所述喷嘴臂的端部上，并且所述第...
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