【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理方法和基板处理设备。
技术介绍
1、通常，可以通过在用作基板的半导体基板上重复执行一系列处理工艺来制造集成电路(ic)器件(诸如半导体器件)。例如，构成ic器件的电路图案可以通过执行处理工艺(诸如沉积、光刻、蚀刻、清洁和干燥)而被形成在基板上。
2、在处理工艺之中，蚀刻工艺或清洁工艺涉及用于处理基板的多个操作，诸如用于向正在旋转的基板供应蚀刻液体或清洁液体的化学处理工艺、用于供应冲洗液体的冲洗工艺、以及用于向基板供应干燥气体的干燥处理工艺。
3、同时，如果在处理工艺期间由于工艺腔室中发生的问题(异常)而停止了处理工艺，则执行利用回收配方回收基板的回收操作。
4、然而，可能存在的问题是，可能由于在处理工艺中使用并遗留在工艺腔室中的处理液体与在回收操作中使用的化学液体的混合而发生爆炸性化学反应。
5、[相关技术文件]
6、[专利文件]
7、(专利文献1)韩国专利公开no.10-2020-0006004
技术实现思路
1、示例性实施例提供了一种用于中和工艺腔室内部的残留处理液体的基板处理方法和基板处理设备。
2、根据示例性实施例，一种基板处理方法，包括：自动回收操作，当处理基板的处理工艺由于发生异常而被中断时，所述自动回收操作自动地回收所述基板；以及腔室中和操作，所述腔室中和操作在停止所述处理工艺之后、在所述自动回收操作之前中和包括所述基板的工艺腔室的内部。
3、在所述腔室中
4、在所述腔室中和操作中，当所述残留处理液体是酸性液体时，所述中和液体可以是碱性液体，并且当所述残留处理液体是碱性液体时，所述中和液体可以是酸性液体，所述碱性液体可以包括sc-1，并且所述酸性液体可以包括sc-2、hf、spm、硫酸和dsp中的至少一种。
5、腔室中和操作可以包括：预清洁操作，所述预清洁操作将预清洁液体排放到所述基板；中和液体排放操作，所述中和液体排放操作将中和液体排放到所述基板；以及后清洁操作，所述后清洁操作将后清洁液体排放到所述基板。
6、基板处理方法还可以包括：在所述腔室中和操作之前的容器控制操作，所述容器控制操作调节包括多个碗状物的处理容器的高度，使得由根据所述残留处理液体的类型而从布置在所述基板周围的所述多个碗状物之中选择的碗状物回收所述残留处理液体。
7、所述处理工艺可以包括处理所述基板的多个工艺操作，并且在所述容器控制操作中，当所述处理工艺的所述多个工艺操作中的一个工艺操作被中断时，维持处理容器的当前高度，并且当所述处理工艺的所述多个工艺操作中的一个工艺操作在切换到后续工艺操作的同时被停止时，在移动到与所述后续工艺操作相对应的下一高度时停止的处理容器可以被连续地移动到所述下一高度。
8、布置在所述基板周围的多个碗状物可以包括被顺序地布置成与所述基板相邻的第一碗状物、第二碗状物和第三碗状物，并且所述第一碗状物、所述第二碗状物和所述第三碗状物可以顺序地连接到第一回收管线、第二回收管线和第三回收管线，并且连接到所述第三碗状物的所述第三回收管线通过三通阀而连接到废物管线和再循环管线，其中，所述基板处理方法还可以包括，在所述腔室中和操作之前的阀控制操作，所述阀控制操作控制所述三通阀，使得所述第三回收管线根据所述残留处理液体的类型而与所述废物管线和所述再循环管线中的一个连通。
9、在所述阀控制操作中，当所述残留处理液体是需要再循环的化学液体时，所述三通阀可以被控制成使得所述第三回收管线与所述再循环管线彼此连通，并且当所述残留处理液体不是需要再循环的化学液体时，所述三通阀可以被控制成使得所述第三回收管线与所述废物管线彼此连通。
10、可以在所述腔室中和操作中改变所述基板的旋转速度。
11、可以在300rpm与1500rpm之间改变所述基板的旋转速度。
12、根据另一示例性实施例，一种基板处理方法，包括：多个工艺操作，所述多个工艺操作构成处理基板的处理工艺；自动回收操作，当所述处理工艺由于发生异常而被停止时，所述自动回收操作自动地回收所述基板；腔室中和操作，所述腔室中和操作在停止所述处理工艺之后、在所述自动回收操作之前，通过将用于中和在所述处理工艺中使用的在工艺腔室内部的残留处理液体的中和液体排放到所述基板而中和包括所述基板的工艺腔室的内部；在所述腔室中和操作之前的容器控制操作，所述容器控制操作调节包括多个碗状物的处理容器的高度，使得由根据所述残留处理液体的类型而从布置在所述基板周围的所述多个碗状物之中选择的碗状物回收所述残留处理液体；以及在所述腔室中和操作之前的阀控制操作，所述阀控制操作控制三通阀，使得连接到所述多个碗状物中的一个的回收管线根据所述残留处理液体的类型而与从废物管线和再循环管线中选择的一个连通。
13、根据另一示例性实施例，一种基板处理设备，包括：工艺腔室；处理容器，所述处理容器安装在所述工艺腔室中并且具有用于处理基板的处理空间；支撑单元，所述支撑单元支撑在所述处理空间中的基板并旋转所述基板；喷嘴单元，所述喷嘴单元将处理液体排放到所述基板；液体供应管线，所述液体供应管线将所述处理液体供应到所述喷嘴单元；以及控制器，当处理所述基板的处理工艺由于发生异常而被停止时，所述控制器在回收所述基板之前中和所述工艺腔室的内部，其中，所述控制器控制所述液体供应管线和所述喷嘴单元，使得用于中和在所述处理工艺中使用的在所述工艺腔室内部的残留处理液体的中和液体通过所述液体供给管线供应并通过所述喷嘴单元排放到所述基板。
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1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求2所述的基板处理方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中
7.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中
9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中
11.一种基板处理方法，包括：
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中
13.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中
14.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中
15.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中
16.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中
17.一种基板处理设备，包括：
18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中<...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求2所述的基板处理方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中
7.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中
9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中
【专利技术属性】
技术研发人员：宋信爱，朴性范，郑昊真，林东浩，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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