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本发明涉及包括有源二极管区域的半导体装置，其包括：半导体主体，具有沿着垂直方向彼此相对的第一表面和第二表面。半导体装置还包括有源二极管区域，其包括：p掺杂阳极区，在半导体主体的第一表面邻接；n掺杂漂移区，被布置在阳极区和第二表面之间；以及n...
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