【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子组合件和一种用于制造电子组合件的方法。
技术介绍
1、功率半导体元件如igbt或mosfet被用于多种用途。例如，将这样的功率半导体元件用于直流电压的方向变换，例如以便运行车辆的电驱动机。
2、功率半导体元件在预定的运行温度范围上设计。如此，例如不允许超过功率半导体元件的最大允许工作温度，因为于是可能影响功率半导体元件的功能性。为了尤其在功率半导体元件的运行期间执行温度监测，可以以已知的方式使用温度传感器。
3、从现有技术中已知us2014/0233708 a1，其公开了一种具有功率设备和温度传感器的医疗器具。温度传感器在此布置在功率设备外，但在功率设备附近。
4、此外已知us2013/0228890 a1，其公开了一种功率半导体模块和温度传感器，其中，温度传感器以电绝缘的方式烧结在dbc基底上。
5、此外已知de 196 30 902b4，其公开了一种用于功率半导体布置的温度监测的设备。
6、有问题的是，在温度传感器相对于功率半导体元件的在现有技术中已知...
【技术保护点】
1.一种电子组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子组合件，其特征在于，所述温度传感器(7)经由立柱元件(10)与所述基底(5)连接。
3.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述温度传感器(7)与基底表面的距离大于所述至少一个功率半导体元件(6)与所述基底表面的距离。
4.根据权利要求2至3中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述至少一个功率半导体元件(6)和所述立柱元件(10)的至少一部分嵌入在模制物料中。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述立柱元件(10)经由固...
【技术特征摘要】
1.一种电子组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子组合件，其特征在于，所述温度传感器(7)经由立柱元件(10)与所述基底(5)连接。
3.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述温度传感器(7)与基底表面的距离大于所述至少一个功率半导体元件(6)与所述基底表面的距离。
4.根据权利要求2至3中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述至少一个功率半导体元件(6)和所述立柱元件(10)的至少一部分嵌入在模制物料中。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述立柱元件(10)经由固定元件(11)与所述基底(5)连接。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，至少一个信号线路(9)与所述温度传感器(7)连接，其中，所述至少一个信号线路(9)远离所述温度传感器(7)以及所述功率半导体元件(6)延伸。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电子组合件，其特征在于，所述电子组合件(1)包括一组至少两个功...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·阿努特，J·施马林，O·郎，
申请(专利权)人：大众汽车股份公司，
类型：发明
国别省市：
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