【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及具有裂缝感测的半导体功率模块。
技术介绍
1、很多不同的应用，例如汽车和工业应用，都在利用功率模块。功率模块可以在单个封装器件中包括多个功率器件。功率器件可以被布置为电力转换器电路，例如单相和多相半波整流器、单相和多相全波整流器、电压调节器、逆变器等。功率模块还可以包括其他元件，例如，驱动器芯片和无源部件。现代的功率模块被设计成用于高效率操作，可以改善电气系统的电功耗。功率模块包括在工作期间生成大量热的元件。例如，功率半导体晶体管管芯可以工作于至少100℃、150℃、200℃或更高温度下。功率模块的其他部件，例如无源元件，也可以在这些高温下工作。这种高温工作生成热机械应力，例如，因为材料cte(热膨胀系数)的差异。这种热机械应力可能导致部件故障，这种故障在组装期间或稍晚在工作期间表现出来。
技术实现思路
1、公开了一种生产功率半导体模块的方法。根据实施例，所述方法包括：提供功率电子器件载体，所述功率电子器件载体包括设置于电绝缘基板层上的结构化金属化层；使用所述功率电子器件载体执行所述功率半导体模块的生产步骤；使用传感器在所述生产步骤期间获得裂缝信息，所述裂缝信息包括关于在所述生产步骤期间所述电绝缘基板层中是否出现一个或多个裂缝的信息；分析所述裂缝信息；以及在分析所述裂缝信息之后执行以下操作中的一个操作或多个操作：根据分析的裂缝信息执行功率半导体模块的后续生产步骤；登记(cataloging)已分析的裂缝信息；以及执行进一步的研究步骤以使用已分析的裂缝信息检查电绝缘基板
2、公开了一种测试功率半导体模块的方法。根据实施例，所述方法包括：提供功率半导体模块，所述功率半导体模块包括功率电子器件载体，所述功率电子器件载体包括设置于电绝缘基板层上的结构化金属化层、安装于所述结构化金属化层上的功率半导体器件、在内部体积之内包封所述功率半导体器件的外壳；提供传感器；执行测试步骤，所述测试步骤使用所述传感器获得裂缝信息，所述裂缝信息包括关于在所述测试步骤期间所述电绝缘基板层中是否出现一个或多个裂缝的信息；分析所述裂缝信息；以及在分析裂缝信息之后执行以下操作中的一个操作或多个操作：登记已分析的裂缝信息；以及执行进一步的研究步骤以使用已分析的裂缝信息检查电绝缘基板层。
3、本领域技术人员在阅读了下面的详细描述并且在查看了附图之后将认识到其他的特征和优点。
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1.一种生产功率半导体模块的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述裂缝信息还包括，如果存在裂缝的话，关于所述电绝缘基板层中的裂缝的性质的信息，并且其中，关于所述裂缝的性质的所述信息包括整个所述电绝缘基板层中的裂缝的总数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，关于所述裂缝的性质的所述信息还包括如下中的任一者：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：根据所述已分析的裂缝信息执行所述功率半导体模块的所述后续生产步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，分析所述裂缝信息包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述功率半导体模块的所述生产步骤是组装步骤，其中，所述功率半导体模块的元件通过施加热量而被彼此固定。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述功率半导体模块的所述生产步骤是测试步骤，其中，对所述功率电子器件载体进行加热，作为对所述功率电子器件载体上安装的器件或连接的功能测试的一部分。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：登记所述已分析的裂缝信息。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，登记所述已分析的裂缝信息包括：在数据库中存储所述裂缝信息，以及将其与所述功率半导体模块的唯一标识符相关联。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，登记所述已分析的裂缝信息包括：在数据库中存储所述裂缝信息，以及将其与用于执行在使用所述传感器获得所述裂缝信息之前立即执行的生产步骤的处理工具相关联。
11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：执行所述进一步的研究步骤，以使用所述已分析的裂缝信息来检查所述电绝缘基板层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述功率电子器件载体是如下中的任一者：DCB基板、AMS基板、AMB基板或IMS基板。
13.一种测试功率半导体模块的方法，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述裂缝信息还包括，如果存在裂缝的话，关于所述电绝缘基板层中的所述裂缝的性质的信息，并且其中，关于所述裂缝的性质的所述信息包括如下中的任一者或多者：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法包括在所述功率半导体模块上或之内提供多个传感器，其中，所述测试步骤使用所述多个传感器中的每个传感器获得所述裂缝信息，并且其中，关于所述电绝缘基板层中的所述裂缝的性质的所述信息包括整个所述电绝缘基板层中的每个裂缝的所述位置。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，分析所述裂缝信息包括向所述功率半导体模块分配状态，并且其中，分配所述状态包括：
17.根据权利要求13所述的方法，其中，分析所述裂缝信息包括：将所述裂缝信息与先前存储版本的与所述功率半导体模块相关联的裂缝信息进行比较。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述功率半导体模块包括金属引脚，所述金属引脚附接到所述结构化金属化层并且从所述外壳突出，并且其中，执行所述测试步骤包括将所述传感器布置成与所述金属引脚的外端相接触。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述传感器设置为处于所述功率半导体模块之内。
20.根据权利要求13所述的方法，还包括在电路板上安装所述功率半导体模块，其中，将所述传感器设置为处于所述电路板之内。
...【技术特征摘要】
1.一种生产功率半导体模块的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述裂缝信息还包括，如果存在裂缝的话，关于所述电绝缘基板层中的裂缝的性质的信息，并且其中，关于所述裂缝的性质的所述信息包括整个所述电绝缘基板层中的裂缝的总数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，关于所述裂缝的性质的所述信息还包括如下中的任一者：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：根据所述已分析的裂缝信息执行所述功率半导体模块的所述后续生产步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，分析所述裂缝信息包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述功率半导体模块的所述生产步骤是组装步骤，其中，所述功率半导体模块的元件通过施加热量而被彼此固定。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述功率半导体模块的所述生产步骤是测试步骤，其中，对所述功率电子器件载体进行加热，作为对所述功率电子器件载体上安装的器件或连接的功能测试的一部分。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：登记所述已分析的裂缝信息。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，登记所述已分析的裂缝信息包括：在数据库中存储所述裂缝信息，以及将其与所述功率半导体模块的唯一标识符相关联。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，登记所述已分析的裂缝信息包括：在数据库中存储所述裂缝信息，以及将其与用于执行在使用所述传感器获得所述裂缝信息之前立即执行的生产步骤的处理工具相关联。
11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：执行所述进一步的研究步骤，以使用所述已分析...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·林贝特里维埃，A·艾勒斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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