【技术实现步骤摘要】
本文描述的实施例涉及用于校正带电粒子束系统中的带电粒子束的像差的校正器，例如在电子显微镜中，特别是在扫描电子显微镜(sem)中。具体地，本公开内容的实施例涉及用于校正带电粒子束的球面像差的校正器。实施例进一步涉及用于对样品进行检查和/或成像的带电粒子束系统，例如，所述样品被配置为用于本文描述的方法中的任何方法。实施例进一步涉及用于校正带电粒子束系统中的带电粒子束的像差的方法。具体地，实施例涉及用于校正带电粒子束的球面像差的方法。
技术介绍
1、现代半导体技术对纳米或甚至亚纳米尺度的样本的结构化和探测提出了高要求。微米和纳米尺度的工艺控制、检查或结构化经常是用带电粒子束(例如，电子束)来完成的，所述带电粒子束在带电粒子束系统(诸如电子显微镜或电子束图案生成器)中生成、成形、偏转和聚焦。为了检查目的，与例如光子束相比，带电粒子束提供了优异的空间分辨率。
2、使用带电粒子束的设备(诸如扫描电子显微镜(sem))在多个工业领域中具有许多功能，包括但不限于电子电路的检查、用于光刻的曝光系统、检测系统、缺陷检查工具和用于集成电路的测试系...
【技术保护点】
1.一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器，包括：
2.根据权利要求1所述的校正器，其中所述两个或更多个开口中的一个开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述接线笔直地且从所述带电粒子束向外延伸，并且由支撑结构支撑。
4.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述校正器是旋转对称的。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线包括：
6.根据权利要求5所述的校正器，其中所述第一组接线中的接线沿着所述第二方向以非等
【技术特征摘要】
1.一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器，包括：
2.根据权利要求1所述的校正器，其中所述两个或更多个开口中的一个开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述接线笔直地且从所述带电粒子束向外延伸，并且由支撑结构支撑。
4.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述校正器是旋转对称的。
5.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线包括：
6.根据权利要求5所述的校正器，其中所述第一组接线中的接线沿着所述第二方向以非等距距离间隔开。
7.根据权利要求6所述的校正器，其中朝向所述校正器的边缘，所述非等距距离中的两个或更多个非等距距离更小，或者其中随着与开口的距离增加，接线密度至少部分地增加，所述开口被配置为与所述带电粒子束的中心对准。
8.根据权利要求6所述的校正器，其中所述非等距距离被配置为近似三阶校正函数。
9.根据权利要求1至2中的任一项所述的校正器，其中所述多个接线是同心的。
10.根据权利要求9所述的校正器，其中所述多个接...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·克鲁特，J·布罗伊尔，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。