薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管阵列基板包括：多个第一金属线，相邻的第一金属线之间设置第一间隙；多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉设置以形成多个重叠部；第一绝缘层，层叠设置在所述第一金属线与所述第二金属线之间，用于使所述第一金属线与所述第二金属线之间绝缘；第二绝缘层，覆盖在所述第二金属线上，且与所述第二金属线层叠设置；透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管阵列基板包括：多个第一金属线，相邻的第一金属线之间设置第一间隙；多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉设置以形成多个重叠部；第一绝缘层，层叠设置在所述第一金属线与所述第二金属线之间，用于使所述第一金属线与所述第二金属线之间绝缘；第二绝缘层，覆盖在所述第二金属线上，且与所述第二金属线层叠设置；透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上。【专利说明】
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)阵列基板是液晶显示装置的重要组成元件。薄膜晶体管阵列基板上包括设置薄膜晶体管阵列的显示区域及围绕所述显示区域的设置的走线区域。通常情况下，所述走线区域内布置有多条金属线，所述金属线的一端电连接测试垫以接收测试信号，所述金属线的另一端电连接显示区域内的薄膜晶体管，以将测试信号传输至所述薄膜晶体管。在现有技术中，多条金属线通常设置为两层，为方便描述，下层的金属线命名为第一金属线，上层的金属线命名为第二金属线，第二金属线与第一金属线之间通过第一绝缘层隔离，且所述第二金属线与所述第一金属线交叉设置，以形成重叠部。所述第一金属线通常是在制造薄膜晶体管的栅极的时候形成，第二金属线通常是在制造薄膜晶体管的源极及漏极的时候形成。 在薄膜晶体管阵列基板生产制造的过程中，静电击伤(Electro-StaticDischarge，ESD)问题常常发生。造成薄膜晶体管阵列静电击伤问题的原因很多，当薄膜晶体管阵列基板发生静电击伤时，通常要分析薄膜晶体管阵列基板发生静电击伤的原因(比如，薄膜晶体管阵列基板静电击伤是由于哪个制造工序造成的)，以便对使得静电击伤的原因进行消除。在薄膜晶体管阵列基板的制造中的五道光罩(mask)制程工序中，每层制造工序中都有可能发生静电击伤。第四层制造工序或第五层制造工序造成的静电击伤通常表现为所述第二金属线与所述第一金属线的重叠部损伤。针对由于第四层制造工序或第五层制造工序而造成的薄膜晶体管阵列基板的静电击伤，很难区分薄膜晶体管阵列基板的静电击伤是第四层制造工序还是第五层制造工序造成的。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，当所述薄膜晶体管阵列基板的第四层制造工序或者第五层制造工序而造成薄膜晶体管阵列基板静电击伤时，能够区分出薄膜晶体管阵列基板的静电击伤是第四层制造工序还是第五层制造工序造成的。 第一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括: 多个第一金属线，相邻的第一金属线之间设置第一间隙； 多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉设置以形成多个重叠部； 第一绝缘层，层叠设置在所述第一金属线与所述第二金属线之间，用于使所述第一金属线与所述第二金属线之间绝缘； 第二绝缘层，覆盖在所述第二金属线上，且与所述第二金属线层叠设置； 透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上。 在第一方面的第一种实施方式中，所述薄膜晶体管阵列基板包括用于设置薄膜晶体管阵列的显示区域及围绕所述显示区域设置的走线区域，所述第一金属线及所述第二金属线设置在所述薄膜晶体管阵列基板的走线区域。 结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，所述第一金属线及所述第二金属线为所述薄膜晶体管阵列基板的测试线。 在第一方面的第三种实施方式中，所述阵列基板包括用于设置薄膜晶体管阵列的显示区域及围绕所述显示区域设置的走线区域，所述第一金属线及所述第二金属线设置在阵列基板的显示区域。 结合第一方面的第三种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，所述第一金属线为薄膜晶体管的栅极线，所述第二金属线为薄膜晶体管的数据线。 在第一方面的第五种实施方式中，所述透明导电膜包括多个透明导电块，每个透明导电块设置在所述第二绝缘层上且与每个重叠部层叠设置。 在第一方面的第六种实施方式中，所述透明导电膜为ITO膜。 第二方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层以形成多个第一金属线，相邻的第一金属线之间设置第一间隙； 提供第一绝缘层，层叠设置在图案化后的所述第一金属层上； 形成第二金属层，图案化所述第二金属层以形成多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉以形成多个重叠部； 提供第二绝缘层，覆盖在图案化的第二金属层上； 提供透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上。 在第二方面的第一种实施方式中，所述步骤“提供透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上”之后，所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法还包括: 图案化所述透明导电膜，图案化的所述透明导电膜包括多个透明导电块，每个透明导电块设置在所述第二绝缘层上且对应每个重叠部层叠设置。 在第二方面的第三种实施方式中，所述薄膜晶体管阵列基板包括设置薄膜晶体管阵列的显示区域及围绕所述显示区域设置的走线区域，所述第一金属线及所述第二金属线设置在所述薄膜晶体管阵列基板的走线区域。 结合第二方面的第三种实施方式，在第二方面的第四种实施方式中，所述第一金属线及所述第二金属线为所述薄膜晶体管阵列基板的测试线。 在第二方面的第五种实施方式中，在所述步骤“提供第一绝缘层，层叠设置在图案化后的所述第一金属层上”及所述步骤“形成第二金属层，图案化所述第二金属层以形成多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二线与所述第一金属线交叉以形成多个重叠部”之间，所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法还包括: 在所述第一绝缘层上设置半导体层； 图案化所述半导体层，移除对应所述第一金属线的所述半导体层，使所述半导体层对应所述栅极区设置； 所述步骤“形成第二金属层，图案化所述第二金属层以形成多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉以形成多个重叠部”包括: 在图案化的所述半导体层上形成第二金属层，图案化所述第二金属层以形成多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二线与所述第一金属线交叉以形成多个重叠部。 结合第二方面的第五种实施方式，在第二方面的第六种实施方式中，所述第一金属线为所述薄膜晶体管的栅极线，所述第二金属线为所述薄膜晶体管的数据线。 相较于现有技术，本专利技术所述薄膜晶体管阵列基板及所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法在所述第一金属线及所述第二金属线交叉设置形成的重叠部对应的第二绝缘层上设置了透明导电膜，针对由于第四层制造工序或者第五层制造工序而造成的薄膜晶体管阵列基板的静电击伤，能够区分所述薄膜晶体管阵列基板的静电击伤是由第四层制造工序还是第五层制造工序造成的。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多个第一金属线，相邻的第一金属线之间设置第一间隙；多个第二金属线，相邻的第二金属线之间设置第二间隙，所述第二金属线与所述第一金属线交叉设置以形成多个重叠部；第一绝缘层，层叠设置在所述第一金属线与所述第二金属线之间，用于使所述第一金属线与所述第二金属线之间绝缘；第二绝缘层，覆盖在所述第二金属线上，且与所述第二金属线层叠设置；透明导电膜，覆盖在所述第二绝缘层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴立，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44