用于光电半导体工艺的沉积设备及其遮覆框制造技术

本发明专利技术公开了一种用于光电半导体工艺的沉积设备，其包含：一加热器，具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面，所述第一承载面用于支撑一玻璃基板；以及一遮覆框，设置于所述加热器的第二承载面上，所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体，所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内，其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘基本上切齐。本发明专利技术可增加玻璃基板有效的成膜范围。

【技术实现步骤摘要】
用于光电半导体工艺的沉积设备及其遮覆框
本专利技术涉及光电半导体
，尤其特别涉及一种用于光电半导体工艺的沉积设备及其遮覆框。
技术介绍
由于消费者对手持通讯装置(如智能型手机、平板计算机等)的需求不断增加，造就了小尺寸面板出货量的成长。目前面板制造商无不以最符合经济效益的方式对面板进行切割，以在一块玻璃基板上产出尽可能多的特定尺寸的面板。除了面板的切割方式之外，扩大玻璃基板有效的成膜范围能够增加面板的可使用面积，此也可使面板在切割上更具弹性。因此，面板制造技术逐渐朝向扩大有效成膜范围的方向发展。在现有的光电半导体工艺中，对玻璃基板有效成膜范围有直接影响的是遮覆框(shadowframe)，其为一个与玻璃基板大小相仿的中空框架。在制造过程中，遮覆框覆盖在玻璃基板外缘上方，而中空部分露出的区域为玻璃基板上进行成膜以生成面板的显示组件的区域。遮覆框在传统工艺上通常是用来固定玻璃基板，以减少可能的扰动对玻璃基板造成影响。等离子体辅助化学气相沉积（plasma-enhancedchemicalvapordeposition，PECVD）机台是光电半导体工艺中常用的机台。请参阅图1，其显示现有的PECVD机台1的结构示意图。在PECVD机台1中，扩散板(diffuser)12作为上电极，加热器(susceptor)14作为下电极。进行化学气相沉积时，气体由入口11导入，经过均热板17升温后，自扩散板12上的多个孔洞进入腔体。扩散板12与加热器14间的电压差使得气体离子化形成等离子体16，进而在遮覆框20的中空部分所曝露出的玻璃基板10上沉积成膜以制成显示组件，多余的气体则从出口19排出。请参阅图2，其显示图1中遮覆框20的俯视示意图。遮覆框20具有配合玻璃基板10的尺寸、形状而设计的框形本体21。如图2所示，遮覆框20为一中空结构件，框形本体21为中空框架。此外，在遮覆框20的框形本体21上设有对称配置的槽孔25。图3显示图1中玻璃基板10、加热器14及遮覆框20的细部配置示意图。请配合图2参阅图3，在PECVD工艺进行中，玻璃基板10置于加热器14的承载面140上，遮覆框20盖住玻璃基板10外缘。此时，遮覆框20的框形本体21内框侧的凸缘22抵压住玻璃基板10，遮覆框20的槽孔25与加热器14上的凸梢（未图示）相嵌合，以将玻璃基板10固定。在现有的PECVD工艺进行中，因为遮覆框20内框侧的凸缘22会盖在玻璃基板10外缘上方，因此影响了玻璃基板10上有效的成膜范围。也就是说，玻璃基板10的这个外缘区域无法形成面板的显示组件或电子电路组件，玻璃基板10的有效成膜范围因此而受限，也就不利于小尺寸面板产品在切割上的弹性。再者，请进一步参阅图4A和图4B。如图4A所示，在进行成膜过程中，加热器14处于一上升位置，玻璃基板10放置在加热器14上，与加热器14的承载面140贴合，玻璃基板10外缘被遮覆框20内框凸缘22覆盖，玻璃基板10上未被遮覆框20盖住的区域为可进行成膜的区域。如图4B所示，当要对玻璃基板10进行搬动时，将加热器14降低而使其处于一下降位置，此时玻璃基板10被支撑柱103支撑着而不随着作动，遮覆框20被腔壁101上的支座102支撑而保持在原来的位置，接着只需将遮覆框20移开，即能自由地搬动玻璃基板10。但是，在上述过程中，加热器14的上下升降动作频繁地与遮覆框20离合，以及遮覆框20的覆盖与搬移动作，很容易导致微尘发生，成为玻璃基板10表面异常微粒子的来源，进而可能造成产品良率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于光电半导体工艺的沉积设备及其遮覆框，以增加玻璃基板有效的成膜范围。为达成上述目的，本专利技术提供一种用于光电半导体工艺的沉积设备，其包含：一加热器，具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面，所述第一承载面用于支撑一玻璃基板；以及一遮覆框，设置于所述加热器的第二承载面上，所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体，所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内，其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘基本上切齐。另一方面，本专利技术提供一种遮覆框，适用于光电半导体工艺的沉积设备中，所述沉积设备包含一加热器，所述加热器具有用于支撑玻璃基板的一承载面，所述遮覆框包含：一框形本体，围绕一中空区域而形成，所述框形本体所围绕的中空区域用于置放所述玻璃基板；以及一填充件，所述填充件与所述框形本体固定接合，所述填充件用以填充所述框形本体与所述加热器第一承载面侧缘之间的空隙，其中所述框形本体与所述填充件所结合形成的遮覆框，所述遮覆框内侧周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘基本上切齐。再一方面，本专利技术提供一种遮覆框，适用于光电半导体工艺的沉积设备中，所述沉积设备包含一加热器，所述加热器具有用于支撑玻璃基板的一承载面，所述遮覆框包含：一框形本体，围绕一中空区域而形成，所述框形本体所围绕的中空区域用于置放所述玻璃基板，其中所述框形本体内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘基本上切齐。与现有的遮覆框相较，本专利技术的遮覆框不会盖住玻璃基板外缘，故运用本专利技术的遮覆框可扩大玻璃基板有效的成膜范围，从而增加面板的可使用面积，制作更多半导体组件，使得小尺寸面板的生产在切割上更具弹性，提升面板整体的利用率。另一方面，本专利技术的遮覆框可随着加热器升降，故可减少玻璃基板表面异常微粒子的产生，进而提升产品良率。附图说明图1显示现有的等离子体辅助化学气相沉积机台的结构示意图。图2显示图1中遮覆框的俯视示意图。图3显示图1中玻璃基板、加热器及遮覆框的细部配置示意图。图4A显示现有的沉积机台中加热器处于上升位置的示意图。图4B显示现有的沉积机台中加热器处于下降位置的示意图。图5显示根据本专利技术第一实施例的沉积设备中加热器与遮覆框的部分配置示意图。图6显示根据本专利技术第二实施例的沉积设备中加热器与遮覆框的部分配置示意图。图7A显示本专利技术中框形本体与填充件的锁固方式的一个例子的示意图。图7B显示本专利技术中框形本体与填充件的锁固方式的另一个例子的示意图。图7C显示本专利技术中框形本体与填充件的锁固方式的再一个例子的示意图。图8A显示本专利技术的沉积机台中加热器处于上升位置的示意图。图8B显示本专利技术的沉积机台中加热器处于下降位置的示意图。图中的标注分别表示：1、PECVD机台；10、玻璃基板；11、入口；12、扩散板；14、加热器；16、等离子体；17、均热板；19、出口；20,20a~20e遮覆框；21,21a~21e框形本体；22、凸缘；25、槽孔；28,28a~28c填充件；29、倒角；30a~30c锁固件；101、腔壁；102、支座；103、支撑柱；140、第一承载面；142、第二承载面；201、顶面；202、底面。具体实施方式为使本专利技术所属
中具有通常知识的技术人员能够轻易实施本专利技术，以下将参照所附图式对本专利技术的实施例进行详细说明。然而，本专利技术可以各种不同的形态体现，并不限于在此说明中的实施例。而且，为了明确对本专利技术进行说明，图式中省略了与说明无关的部分，整个说明书中类似的部分使用类似的组件标号。在以下说明中，本专利技术对遮覆框所作的改良将以两部分进行说明：(1)以现有的遮覆框进行加工（第一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包含：一加热器，具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面，所述第一承载面用于支撑一玻璃基板；以及一遮覆框，设置于所述加热器的第二承载面上，所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体，所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内，其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘切齐。

【技术特征摘要】
2013.05.14 TW 1021170561.一种用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包含：一加热器，具有一第一承载面和设置于所述第一承载面外周围的一第二承载面，所述第一承载面用于支撑一玻璃基板；以及一遮覆框，设置于所述加热器的第二承载面上，所述遮覆框具有围绕中空区域而形成的一框形本体，所述玻璃基板放置于所述框形本体所围绕的区域内，其中所述遮覆框的内框周面最外侧缘与所述加热器的第一承载面侧缘切齐；所述遮覆框具有一填充件，所述填充件与所述遮覆框的框形本体固定接合，所述填充件用以填充所述框形本体与所述加热器第一承载面侧缘之间的空隙。2.根据权利要求1所述用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述遮覆框具有一锁固件，所述锁固件用以将所述填充件与所述框形本体固定。3.根据权利要求2所述用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述锁固件沿着垂直于所述遮覆框的厚度方向将所述填充件固定在框形本体上。4.根据权利要求2所述用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述锁固件沿着所述遮覆框的厚度方向将所述填充件固定在框形本体上。5.根据权利要求4所述用于光电半导体工艺的沉积设备，其特征在于，所述填充件突出于所述框形本体内框外缘。6.根据权利要求1所述用于光电半导体工...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文焕，金东熙，李一中，刘芳钰，
申请(专利权)人：世界中心科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71