扩散板结构及其制作方法技术

本发明专利技术是关于一种扩散板结构及其制作方法。扩散板结构包括一基材、多个孔洞以及一黏合层。所述多个孔洞纵向形成于基材内，各孔洞分别包括一进气部、一出气部以及一用以连接进气部与出气部的连接部。黏合层形成于各出气部的侧壁上，且黏合层的厚度为１微米至１１微米。本发明专利技术能解决等离子体辅助化学气相沉积设备实施自清洁功能后微小颗粒周期性产生的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种扩散板，尤其涉及一种能避免等离子体辅助化学气相沉积设备中 的微小颗粒(Particle)周期性产生的。
技术介绍
液晶显示装置的工艺中，首先须在玻璃基板上制作大量器件如薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)等，请参阅附图1所示，是玻璃基板10在等离子体辅助化学气相沉 积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)反应室腔体 1 中的示意图。在 该等离子体辅助化学气相沉积反应室腔体1中，扩散板(Diffuser) 12作为上电极，加热器 (SUSCeptor)14作为下电极，其中扩散板12具有多个孔洞(未图示)以供气体或液体通过。 扩散板12与加热器14两者之间充满等离子体16。进行化学气相沉积时，将所需的反应气 体由气体入口 18导入，气体经过均热板20及扩散板12的孔洞(未图示)后，由于扩散板 12与加热器14的电位差及等离子体16的作用下，而能在玻璃基板10上成膜来制作器件。 最后，工艺反应后之废气经由气体出口 20排出。然而在工艺反应所产生的副产物，例如氮化硅、非晶硅、多晶硅、氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散板结构，包括：一基材；多个孔洞，纵向形成于所述基材内，各孔洞分别包括：一进气部；一出气部；以及一连接部，用以连接所述进气部与所述出气部，其特征在于，所述扩散板结构还包括一黏合层形成于各出气部的侧壁上，所述黏合层的厚度为１微米至１１微米。

【技术特征摘要】
1.一种扩散板结构，包括 一基材；多个孔洞，纵向形成于所述基材内，各孔洞分别包括 一进气部； 一出气部；以及一连接部，用以连接所述进气部与所述出气部，其特征在于，所述扩散板结构还包括一 黏合层形成于各出气部的侧壁上，所述黏合层的厚度为1微米至11微米。2.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述基材的材料为金属。3.根据权利要求2所述的扩散板结构，其特征在于，所述金属为铝。4.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述进气部呈圆锥形，且圆锥形两 端较窄处连接至所述连接部。5.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述出气部呈圆锥形，且圆锥形两 端较窄处连接至所述连接部。6.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述黏合层的厚度为1微米至3微米。7.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述黏合层为一氧化层。8.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述黏合层进一步形成于各连接 部的侧壁上。9.根据权利要求8所述的扩散板结构，其特征在于，所述黏合层进一步形成于各进气 部的侧壁上。10.根据权利要求1所述的扩散板结构，其特征在于，所述连接部的直径小于所述进气 部的直径以及所述出气部的直径。11.一种扩散板结构的制作方法，所述扩散板结构包括一基材以及多个纵向形成于所 述基材内的孔洞，各孔洞分别包括一进气部、一出气部以及一用以连接所述进气部与所述 出气部的连接部，其特征在于，所述制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳俊，苏金种，刘芳钰，
申请(专利权)人：世界中心科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]