一种封装基板及其制作方法和基板组件技术

本发明专利技术公开了一种封装基板的制作方法，包括：在基板上的每个封装基板单元的周边分别加工镂空长槽；将所述镂空长槽的侧壁金属化；将所述封装基板单元的中央区域的铜箔层蚀刻掉；在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域加工用于固定电子元件的镂空方槽。本发明专利技术实施例还提供相应的封装基板单元和基板组件。本发明专利技术技术方案采用将封装基板单元周边的侧壁金属化作为金属屏蔽层的技术方案，简单可靠的实现了对电子元件进行电磁屏蔽，而不必另外增加屏蔽罩，不会增加封装基板厚度，不会降低产品的通用性，且结构可靠，降低了失效风险，同时成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种封装基板及其制作方法和基板组件
本专利技术涉及电路板加工
，具体涉及一种封装基板及其制作方法和基板组 件。
技术介绍
现有的埋入式电路板通常采用在电路板上开槽，将电子元件例如芯片等嵌入所开 的槽中并固定等方法制成。该种电路板中埋入的电子元件会受到外界电磁干扰，不能工作 在最佳状态。现有技术中一般采用在电路板上增加一个屏蔽罩的方式来避免电磁干扰。但 是，屏蔽罩会增加电路板的厚度，降低产品的通用性，不利于向小型化发展，且屏蔽罩不够 可靠，有移位或脱落等失效风险。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种封装基板及其制作方法和基板组件，以解决现有技术中采 用屏蔽罩对电路板进行电磁屏蔽带来的缺陷。 本专利技术第一方面提供一种封装基板的制作方法，包括：在基板上的每个封装基板 单元的周边加工镂空长槽；将所述镂空长槽的侧壁金属化；将所述封装基板单元的中央区 域的铜箔层蚀刻掉；在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域加工用于固定电子元件的镂空方槽。 本专利技术第二方面提供一种封装基板，所述封装基板单元的中央区域开设有用于固 定电子元件，并使所述电子元件与所述封装基板单元绝缘的镂空方槽，所述封装基板单元 周边的侧壁上加工有用于对所述电子元件进行电磁屏蔽的金属化层。 本专利技术第二方面提供一种基板组件，包括：如上文所述的封装基板单元，埋入所 述封装基板单元开设的镂空方槽中的电子元件，以及分别压合在所述封装基板单元两面的 上、下基板，所述电子元件与所述上基板或下基板上的电路图形电连接。 本专利技术实施例采用将封装基板单元周边的侧壁金属化，在封装基板的中央区域埋 入电子元件，利用封装基板单元表面的铜箔层和周边金属化的侧壁作为金属屏蔽层的技术 方案，简单可靠的实现了对电子元件进行电磁屏蔽，而不必另外增加屏蔽罩，不会增加封装 基板厚度，不会降低产品的通用性，且结构可靠，降低了失效风险，同时制作成本也更低廉。 【附图说明】 图1是本专利技术实施例提供的封装基板的制作方法的流程图； 图2是基板上规划的封装基板单元的示意图； 图3是已加工镂空长槽的封装基板单元的示意图； 图4是已加工通孔的封装基板单元的示意图； 图5是已加工镂空长槽和通孔的封装基板单元的示意图； 图6是金属化后的封装基板单元的截面图； 图7是设置了干膜的封装基板单元的截面图； 图8是已经过蚀刻的封装基板单元的截面图； 图9是已加工镂空方槽的封装基板单元的截面图； 图10是独立的封装基板单元的示意图； 图11是包括封装基板单元的基板组件的示意图。 【具体实施方式】 本专利技术实施例提供本专利技术实施例提供一种封装基板的制作方法，可以解决现有的 对电路板电磁屏蔽技术的缺陷。本专利技术实施例还提供相应的封装基板。以下分别进行详细 说明。 实施例一、 请参考图1，本专利技术实施例提供一种封装基板的制作方法，包括： 101、在基板上的每个封装基板单元的周边加工镂空长槽。 本实施例中，对封装基板单元的加工从一张较大的基板，例如双面覆铜板开始。该 较大的基板上规划出若干个规则排列的封装基板单元。所述的若干个封装基板单元呈阵列 式排列，横成行，坚成列。 图2示出了基板201上的一个封装基板单元202,图中的虚线方框为该封装基板单 元202的边界。本步骤中，如图3所示，可以在封装基板单元202的周边沿着所述虚线方框 分别加工镂空长槽203,具体可以为加工四个分别位于四周的镂空长槽203。实际应用中， 每两个相邻的封装单元202之间加工的一条镂空长槽203,被该两个封装基板单元202共 用，该镂空长槽102的两个侧壁分别成为两个封装基板单元202的侧壁。实际应用中，可以 采用普通铣刀加工镂空长槽203,加工完毕后，各个封装基板单元202在四个边缘上被区分 开，但在各个顶角处连接，仍然可以作为一个整体进行后续加工，以提高加工效率。该种在 基板上规划多个封装基板单元，各个单元紧邻，以镂空长槽分割的布局方法，可以提高基板 的板材利用率，降低生产成本。 -种实施方式中，在本步骤之前，还可以包括如下步骤：在每个封装基板单元202 的顶角部位加工通孔204,本实施例中在四个顶角部位都分别加工有通孔204,如图4所示。 这些加工的通孔204可以在后续作为层间的导通孔、对位孔或工具孔使用。加工通孔204 的方法可以是机械钻工艺。本实施方式中，先加工完通孔204,再加工镂空长槽203,这两个 步骤加工完毕之后的半成品如图5所示。 102、将所述镂空长槽的侧壁金属化。 本步骤中采用金属化工艺将所述镂空长槽的侧壁金属化。如果之间加工了通孔， 则同时将通孔也金属化。金属化后的一个封装基板单元的截面图如6所示，可以看出，镂空 长槽203的侧壁上附着了一金属化层205。该被金属化的侧壁后续将作为屏蔽层，为封装基 板单元内埋入的电子元件提供金属屏蔽作用。本步骤中，侧壁金属化时形成的金属层与基 板表面的铜箔层电镀相连，可靠性非常好，使用过程中完全不会发生脱离或者移位现象。 103、将所述封装基板单元的中央区域的铜箔层蚀刻掉。 本步骤中采用图形转移工艺在所述封装基板单元的中央区域开窗，S卩，将中央区 域的铜箔层蚀刻掉。以便于后续在中央区域加工用于埋入电子元件的镂空方槽。蚀刻铜箔 层的工艺包括 ： 如图7所示，在所述封装基板单元202上除所述中央区域以外的其它部分设置一 层干膜206,使所述干膜206覆盖所述镂空长槽203 ;然后，采用化学腐蚀工艺将所述中央区 域的铜箔层207蚀刻掉。蚀刻完毕后，去除干膜，如图8所示，中央区域的绝缘芯板层208 已暴露出来。 一种实施方式中，步骤103之后，还可以包括：对所述封装基板单元202镀金，使所 述中央区域周边未被蚀刻掉的铜箔层207上和所述镂空长槽203的侧壁上镀一层镍金或镍 钯金，以便提供良好的可焊性。 104、在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域加工镂空方槽。 如图9所示，中央区域的铜箔层207被蚀刻掉后，可以采用机械铣或者激光切割等 工艺在中央区域加工镂空方槽209。该镂空方槽206上下贯穿基板，其侧壁为绝缘材料，可 用于后续嵌入电子元件。实际应用中，为了避免后续嵌入的电子元件接触中央区域周围的 铜箔层207造成短路，可以按照略小于所述中央区域的尺寸，也就是略小于铜箔层上开窗 区域的尺寸，加工镂空方槽209,使所述镂空方槽209边缘一定尺寸范围，例如0. 5mm范围内 没有铜箔层，从而实现芯片与封装基板单元之间的良好绝缘性能。 本步骤之后，还可以包括以下步骤：沿所述镂空长槽203的中心线进行切割，将所 述基板201切割成为多个独立的封装基板单元202。切割后独立的封装基板单元202,如图 10所示。 后续，可以将电子元件固定在所述镂空方槽中，由于电子元件与金属化侧壁之间 是由绝缘基材隔离，绝缘性能非常可靠，可以保证所述电子元件与所述镂空方槽周围的铜 箔层和所述镂空长槽的侧壁完全绝缘。 如图11所示，实际应用中，埋入了电子元件301的封装基板单元202的上下两面 可以分别压合上、下基板302,上、下基板302上分别加工有电路图形，所述电子元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上的每个封装基板单元的周边加工镂空长槽；将所述镂空长槽的侧壁金属化；将所述封装基板单元的中央区域的铜箔层蚀刻掉；在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域加工用于固定电子元件的镂空方槽。

【技术特征摘要】
1. 一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括： 在基板上的每个封装基板单元的周边加工镂空长槽； 将所述镂空长槽的侧壁金属化； 将所述封装基板单元的中央区域的铜箔层蚀刻掉； 在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域加工用于固定电子元件的镂空方槽。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在基板上的每个封装基板单元的 周边加工镂空长槽之前还包括： 在每个封装基板单元的顶角部位加工通孔。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的将所述封装基板单元的中央区域 的铜箔层蚀刻掉包括： 在所述封装基板单元上除所述中央区域以外的其它部分设置一层干膜，使所述干膜覆 盖所述镂空长槽； 采用化学腐蚀工艺将所述中央区域的铜箔层蚀刻掉。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的将所述封装基板单元的中央区域 的铜箔层蚀刻掉之后，还包括： 对所述封装基板单元镀金，使所述中央区域周边未被蚀刻掉的铜箔层上和所述镂空长 槽的侧壁上镀一层镍金或镍钯金。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在蚀刻掉铜箔层的所述中央区域 加工用于固定电子元件的镂...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐艺林，高成志，郑仰存，谷新，黄良松，
申请(专利权)人：深南电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44