【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请案涉及一种。在一个一般方面中，一种方法可包含在包含于半导体装置中的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS装置的一部分中及电阻器装置的一部分中同时植入第一掺杂剂。所述方法还可包含在所述半导体装置中的所述LDMOS装置的一部分中及双极结型晶体管BJT装置的一部分中同时植入第二掺杂剂。【专利说明】
本说明涉及使用半导体工艺产生多个半导体装置。
技术介绍
在典型的半导体工艺中，使用多个互斥工艺步骤来产生单独半导体装置。举例来说，通常使用专用光刻、掩蔽及离子植入工艺步骤来在半导体工艺内产生多晶硅电阻器。作为另一实例，可针对在半导体工艺中产生双极结型晶体管来专门调整专用光刻、掩蔽及离子植入工艺步骤。这些专用工艺步骤可增加个别晶片的成本及循环时间达5%或5%以上，此可在产品毛利及产能两方面尤其显著。因此，需要用以解决当前技术的不足且提供其它新且创新特征的系统、方法及设备。
技术实现思路
在一个一般方面中，一种方法可包含在横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置的一部分中且在包含于半导体装置中的电阻器装置的一部分中同时植入第一掺杂剂。所述方法还可包含在所述...
【技术保护点】
一种方法，其包括：在半导体衬底上形成外延层；在所述外延层中形成第一导电性类型的掩埋区；形成与横向扩散金属氧化物半导体LDMOS装置相关联的第二导电性类型的阱区；在所述形成所述阱区之后，形成所述LDMOS装置的栅极氧化物；及植入所述第二导电性类型的掺杂剂以并发地形成所述LDMOS装置的漂移区且形成双极结型晶体管BJT装置的基极植入区，所述漂移区具有和所述外延层的顶部表面与所述LDMOS装置的所述栅极氧化物之间的界面相交的边界。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗·纳萨尔，金成龙，史蒂文·莱比格尔，詹姆斯·霍尔，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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