TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置，包括：在基板上形成有机膜层；在有机膜层上形成第一透明导电层；在第一透明导电层上形成具有一开口的光刻胶；以光刻胶为掩膜，对第一透明导电层和有机膜层进行图案化以形成第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔贯穿第一透明导电层，第二过孔贯穿有机膜层，开口的位置与第一过孔和第二过孔的位置相对应，第一过孔和第二过孔相通。本发明专利技术通过共同使用光刻胶作为掩膜可以至少达到实现第一过孔和第二过孔的精准对位，有效避免第一透明导电层和像素电极之间短路的问题，并且避免了暗点连续现象的出现，保证了显示面板的质量，提高了良率，而且还简化了工艺，节约了生产成本的效果之一。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置，包括：在基板上形成有机膜层；在有机膜层上形成第一透明导电层；在第一透明导电层上形成具有一开口的光刻胶；以光刻胶为掩膜，对第一透明导电层和有机膜层进行图案化以形成第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔贯穿第一透明导电层，第二过孔贯穿有机膜层，开口的位置与第一过孔和第二过孔的位置相对应，第一过孔和第二过孔相通。本专利技术通过共同使用光刻胶作为掩膜可以至少达到实现第一过孔和第二过孔的精准对位，有效避免第一透明导电层和像素电极之间短路的问题，并且避免了暗点连续现象的出现，保证了显示面板的质量，提高了良率，而且还简化了工艺，节约了生产成本的效果之一。【专利说明】TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置。
技术介绍
随着显示装置制造技术的发展,包括有薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)阵列基板的显示装置因其具有体积小、功耗低、分辨率高等优点而在目前的显示装置市场中占据了主要地位。在实际使用中，发现TFT阵列基板存在轨迹不均(trace mura)现象，如此，影响了显示效果，降低了显示品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置。本专利技术提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括:在基板上形成有机膜层；在所述有机膜层上形成第一透明导电层；在所述第一透明导电层上形成具有一开口的光刻层；以所述光刻层为掩膜，对所述第一透明导电层和有机膜层进行图案化以形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔贯穿所述第一透明导电层，所述第二过孔贯穿所述有机膜层，所述开口的位置与所述第一过孔和第二过孔的位置相对应，所述第一过孔和第二过孔相通。相应的，本专利技术实施例还提供了一种TFT阵列基板，包括:基板和位于所述基板之上的漏极；有机膜层，位于所述漏极上，并铺满整个基板范围，所述有机膜层包括第二过孔，所述第二过孔贯穿所述有机膜层而暴露所述漏极；第一透明导电层，位于所述有机膜层上，所述第一透明导电层包括第一过孔，所述第一过孔和所述第二过孔同轴，并且相通；绝缘层，位于所述第一透明导电层和所述漏极上，所述绝缘层铺满整个基板范围，所述绝缘层包括第三过孔，所述第三过孔贯穿所述绝缘层而暴露所述漏极；第二透明导电层，位于所述绝缘层、第一透明导电层和漏极上，所述第二透明导电层通过所述第一过孔、第二过孔和第三过孔连接于所述漏极，所述第二透明导电层通过所述绝缘层绝缘于所述第一透明导电层。相应的，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上上述的TFT阵列基板。本专利技术实施例至少达到以下的有益效果之一:本专利技术的TFT阵列基板的制作方法、TFT阵列基板以及显示装置通过共同使用光刻层作为掩膜可以实现第一过孔和第二过孔的精准对位，有效避免第一透明导电层和像素电极之间短路的问题，并且避免了暗点连续现象的出现，保证了显示面板的质量，提高了显示效果，提高了良率，而且还简化了工艺，节省了成本。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施例中的阵列基板的制备方法的流程图；图2a_2h是本专利技术实施例中的阵列基板的制备过程的截面示意图。图3是本专利技术实施例中的显示装置的示意图；【具体实施方式】下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。本专利技术实施例不限于基于低温多晶娃技术(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)的TFT阵列基板，本专利技术实施例也不限于采用顶栅结构或者底栅结构的薄膜晶体管(TFT)，本专利技术实施例的本专利技术实施例可以应用于有机发光显示器(Organic LightEmitting Display, OLED)、液晶显示装置和电子纸等显示装置中。图1是本专利技术实施例中的阵列基板的制备方法的流程图；图2a_2h是本专利技术实施例中的阵列基板的制备过程的截面示意图。参考图1和图2a_2h，本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括:S101、在基板上形成有机膜层14。其中，通常在基板11上预先形成有栅极、有源层、源极13和漏极12，如图2a所示。之后在源极13和漏极12上形成有机膜层14，有机膜层14形成后通常经过化学机械平坦化(Chemical Mechanical Polishing,CMP)而形成平坦化的表面层,有机膜层14可以由非感光树脂材料制成，有机膜层14形成后需要经过硬化，形成有机膜层14后的阵列基板的截面如图2b所示。S102、在有机膜层14上形成第一透明导电层15。在形成有机膜层14之后，形成第一透明导电层15，第一透明导电层15作为阵列基板的公共电极，第一透明导电层15采用氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)或氧化铟锡(ΙΤ0)和氧化铟锌(IZO)的组合材料制成。所述第一透明导电层15的形成可以利用本领域公知的沉积或外延生长技术，包括但不限于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)。形成第一透明导电层15后的阵列基板的截面如图2c所示。S103、在所述第一透明导电层15上形成具有一开口的光刻层(例如为光刻胶16)。具体地，该步骤进一步包括:在第一透明导电层15上涂布光刻胶16，然后通过采用掩膜板，对光刻胶16进行曝光、显影，以在与漏极12对应的位置形成所述开口。形成具有开口的光刻胶16后的阵列基板的截面如图2d所示，形成开口后，开口为梯形形状，开口的底部尺寸小于开口的上部尺寸，其中开口的底部尺寸的设定取决于后续的第二过孔141的开孔尺寸。优选地，在本专利技术实施例的各种实施方式中，所述光刻胶16的厚度为有机膜层14厚度的1.3-1.7倍。进一步优选地，所述光刻胶16的厚度为所述有机膜层14厚度的1.5倍。其中，光刻胶16的厚度通常为2-3 μ m,当有机膜层14为1.7 μ m时，光刻胶16的厚度为2.5 μ m。这主要是因为，在有机膜层14硬化后，在进行后续的灰化的速度为600nm/分钟左右，而光刻胶16进行灰化的速度为SOOnm/分钟左右，为了保证第一透明导电层15不受氧等离子体影响，所以光刻胶16的厚度为所述有机膜层14厚度的1.3-1.7倍，优选为1.5倍。S104、以所述光刻胶为掩膜，对所述第一透明导电层15和有机膜层14进行图案化以形成第一过孔151和第二过孔141。其中，所述第一过孔151贯穿所述第一透明导电层，所述第二过孔141贯穿所述有机膜层，所述开口的位置与所述第一过孔151和第二过孔141的位置相对应，所述第一过孔151和第二过孔141相通。具体地，首先以所述光刻胶16为掩膜，对所述第一透明导电层15进行湿法刻蚀，以形成第一过孔151，形成第一过孔151后的阵列基板的截面如图2e所示。从图2e中可以看出，第一过孔151的尺寸大于光刻胶16的开口的底部尺寸，这是由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成有机膜层；在所述有机膜层上形成第一透明导电层；在所述第一透明导电层上形成具有一开口的光刻层；以所述光刻层为掩膜，对所述第一透明导电层和有机膜层进行图案化以形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔贯穿所述第一透明导电层，所述第二过孔贯穿所述有机膜层，所述开口的位置与所述第一过孔和第二过孔的位置相对应，所述第一过孔和第二过孔相通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35