一种TFT阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。本发明专利技术还公开一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，采用本发明专利技术能减少透过光线的损失，整体提高TFT阵列基板的透过率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。本专利技术还公开一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，采用本专利技术能减少透过光线的损失，整体提高TFT阵列基板的透过率。【专利说明】一种TFT阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及阵列基板
，尤其涉及一种薄膜晶体管(ThinFilmTransistor, TFT)阵列基板及其制造方法。
技术介绍
目前，TFT生产工艺中，栅绝缘层和钝化层普遍使用氮化硅(SiNx)材料，SiNx材料本身具有稳定性好、绝缘性好的优点。但是，使用SiNx材料作为栅绝缘层和钝化层的TFT阵列基板，TFT阵列基板的透过率只能保持在85%左右，随着SiNx用量的增加，TFT阵列基板应力急剧变大，导致透过率降低、以及基板形变变大；而且，凹凸不平的表面对后端的对盒工艺中的液晶取向(cellrubbing)工艺造成较大的影响，使得液晶取向紊乱,容易造成显示异常。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种TFT阵列基板及其制造方法，能减少透过光线的损失，提高TFT阵列基板的透过率。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的:本专利技术提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构的材料均为有机树脂。这里，所述TFT阵列基板还包括:栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包括:形成于所述TFT区域上的栅绝缘层；所述TFT阵列基板还包括:位于所述TFT与所述像素电极之间的钝化层；所述有机树脂形成的层具有平坦化的上表面；所述衬底基板的折射率与所述有机树脂的折射率相同； 所述有机树脂包括主链上含有S1-C、或含有S1-O结构的非感光型有机树脂材料中一种或两种的组合；其中，所述TFT包括:栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、以及形成于所述栅绝缘层上的有源层、源信号电极和漏信号电极；或者，源信号电极、漏信号电极和有源层，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层上的栅绝缘层，形成于所述栅绝缘层上的栅电极。本专利技术还提供了一种上述薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，该方法包括:在衬底基板上形成TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，在所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成。这里，所述在衬底基板上形成TFT的步骤中，包括对所述衬底基板上所述TFT以外的区域上的栅绝缘层进行刻蚀的步骤；以及在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层的步骤；所述在衬底基板上形成TFT之后以及在形成所述像素电极之前，所述方法还包括:形成钝化层；其中，所述在所述栅绝缘层被刻蚀掉的区域上形成有机树脂层，为:采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域；或者，在具有所述TFT的衬底基板上形成所述钝化层，对所述TFT以外的区域上的被刻蚀掉的栅绝缘层上的钝化层进行刻蚀，在所述钝化层被刻蚀掉的区域上形成所述有机树脂层，所述钝化层包括所述有机树脂层。其中，所述在衬底基板上形成TFT，包括:在衬底基板上形成栅电极；在具有所述栅电极的衬底基板上形成所述栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极；或者，在衬底基板上形成源信号电极、漏信号电极和有源层；在具有所述源信号电极、漏信号电极和所述有源层的衬底基板上形成所述栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成所述栅电极。所述在所述栅绝缘层上形成有源层以及源信号电极、漏信号电极，为:在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺形成所述有源层以及所述源信号电极、漏信号电极。所述采用有机树脂形成所述钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT区域以及所述TFT区域以外的区域，所述钝化层包括所述有机树脂层中的所述钝化层、以及所述像素电极是在一次掩膜版构图工艺中，通过半色调工艺和分层剥离工艺形成的。本专利技术所提供的TFT IXD阵列基板及其制造方法，具有以下的优点和特点:本专利技术中采用有机树脂作为平坦化材料，如此，一方面，由于有机树脂为高透过率、应力低、平坦化、均匀性好的材料，可有效减小TFT IXD阵列基板的形变量、以及防止像素层搭接时出现断裂；另一方面，由于本专利技术所选用的非感光型有机树脂材料的折射率与阵列基板的折射率基本一致，可有效减少投射光线的损失，提高TFT阵列基板的透过率。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术薄膜晶体管TFT阵列基板的TFT结构截面示意图；图2至图7为本专利技术薄膜晶体管TFT阵列基板制造过程中TFT结构的截面示意图。附图标记说明1、基板,2、栅电极,3、栅绝缘层,4、有源层,5、源漏信号电极层,5a、源信号电极，5b,漏信号电极,6、光刻胶,7、沟道,8、钝化层,9、过孔,10、像素电极。【具体实施方式】由于在使用有机树脂后会使TFT整体变得平坦，可使cell rubbing工艺更加容易控制，而且有机树脂的折射率与基板的折射率基本一致，因此，本专利技术采用的有机树脂既可作为平坦化材料、又可以提高TFT阵列基板的透过率。一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成。这里，所述薄膜晶体管TFT阵列基板还包括:栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包括:形成于所述TFT区域上的栅绝缘层；所述薄膜晶体管TFT阵列基板还可能包括:位于所述TFT与所述像素电极之间的钝化层；形成所述钝化层的材料可以为有机树脂，也可以为有机树脂和其他材料的混合材料。在薄膜晶体管TFT阵列基板上，有由栅线和数据线交叉定义形成的多个像素单元，每个像素单元内都包括TFT和像素电极，因此，上述的“所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成”是指，在每个像素单元内(即每个由栅线和数据线围成的单元区域内，不包含栅线和数据线)，除TFT结构和像素电极结构以外的结构均采用有机树脂形成。通常，TFT结构包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源信号电极和漏信号电极，其中所述栅电极、有源层、源信号电极和漏信号电极一般都形成在TFT区域内，而不是覆盖像素单元的所有区域，而在现有技术中栅绝缘层通常覆盖TFT区域以及像素电极对应的区域；而本实施例中，在像素单元内，所述栅绝缘层是不覆盖像素电极对应的区域的，这一特征优选可通过如下方式实现:在形成所述栅绝缘层时，先形成覆盖TFT区域和像素电极区域(所述像素电极区域即为图1中的现实区域)的栅绝缘层材料，在后续的步骤中再将所述像素电极区域对应的栅绝缘层材料刻蚀掉；或者，在形成栅绝缘层时，利用掩膜构图工艺只在TFT区域上形成栅绝缘层材料，在像素电极区域不形成栅绝缘层材料，从而形成所需要的栅绝缘层的图案。这里，所述有机树脂形成的层具有平坦化的上表面；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：在衬底基板上形成TFT、栅线、数据线以及像素电极，其中，在所述TFT阵列基板上除TFT区域以外的区域上，除所述栅线、数据线以及像素电极以外的结构均采用有机树脂形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11