一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构是对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。现有技术中，根据沟道材料的不同，TFT主要有氧化物半导体TFT（简称氧化物TFT）和非晶硅TFT两种。氧化物TFT因其具有更大的开关电流比，即打开时电流更大，充电时间更短；关断时，漏电流更小，不容易漏电，使其更适合制作高分辨率（高清晰度）、高刷新率（动态画面更流畅）的高端显示产品。图1所示为现有技术中氧化物TFT阵列基板的另外一种结构示意图，其中，氧化物TFT为背沟道刻蚀结构（BCE，BackChannelEtch），其结构相对简单，从下至上分别为：栅电极2、栅绝缘层7、氧化物半导体层图案5、源电极3和漏电极4，然后上面覆盖上保护层8，源电极3和漏电极4直接与氧化物半导体层图案5搭接，氧化物半导体层图案5位于源电极3和漏电极4之间的部分为沟道区域，当TFT打开时，所述氧化物半导体层图案5的沟道区域形成TFT的导电沟道。这样的TFT结构，工艺更加简化，尺寸也更小，寄生电容也更小。但是在完成氧化物半导体层图案5的制作后，再接着进行源漏金属成膜，然后光刻胶涂覆、曝光、显影，当进行源漏金属刻蚀时，需要刻蚀掉源电极3和漏电极4之间的源漏金属，这时刻蚀液会对氧化物半导体层图案5的沟道区域有明显的腐蚀作用。针对于这一问题，有人提出了以下的改进方案：图2所示为现有技术中氧化物TFT阵列基板的一种结构示意图，从下至上分别为：栅电极2、栅绝缘层7、氧化物半导体层图案5、刻蚀阻挡层9及刻蚀阻挡层过孔、源电极3和漏电极4，然后上面覆盖保护层8，源电极3和漏电极4通过刻蚀阻挡层过孔与氧化物半导体层图案5连接，氧化物半导体层图案5位于源电极3和漏电极4之间的部分为沟道区域，当TFT打开时，所述氧化物半导体层图案5的沟道区域形成TFT的导电沟道。其中，在形成源电极3和漏电极4的刻蚀工艺中，刻蚀阻挡层9可以保护氧化物半导体层图案5的沟道区域不被刻蚀。但是，这样的TFT结构，虽然能够保护在形成源电极3与漏电极4的时候保护氧化物半导体层图案5的沟道区域不被腐蚀，但是增加了刻蚀阻挡层9，却导致工艺复杂，尺寸增加，引入了源电极3、漏电极4与氧化物半导体层图案5之间的寄生电容。
技术实现思路
本专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，用以解决在形成BCETFT的源电极和漏电极的刻蚀工艺中，既可以防止刻蚀液对氧化物半导体层图案的沟道区域造成腐蚀，同时又可以减少工艺步骤的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其中，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。同时在该构图工艺中，通过剥离沟道上的光刻胶形成薄膜晶体管的沟道。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示现有技术中氧化物TFT阵列基板的结构示意图一；图2表示现有技术中氧化物TFT阵列基板的结构示意图二；图3表示本专利技术实施例中氧化物TFT阵列基板的制造方法流程图；图4-图5表示本专利技术实施例中氧化物TFT阵列基板的氧化物半导体层图案的制备过程；图6-图7表示本专利技术实施例中氧化物TFT阵列基板的源电极和漏电极的制备过程一；图8-图11表示本专利技术实施例中氧化物TFT阵列基板的源电极和漏电极的制备过程二；图12表示本专利技术实施例中氧化物TFT阵列基板的结构示意图。具体实施方式现有技术中氧化物TFT阵列基板的TFT为背沟道刻蚀结构时，在完成氧化物半导体层图案的制作后，再进行源电极和漏电极（由源漏金属形成）的制作，其中，氧化物半导体层图案位于源电极和漏电极之间的部分为沟道区域，当TFT打开时，所述氧化物半导体层图案的沟道区域形成薄膜晶体管的导电沟道。这种结构导致源电极和漏电极的制作工艺中，源漏金属刻蚀液会刻蚀氧化物半导体层图案的沟道区域，影响TFT的半导体特性。本专利技术针对上述技术问题，提供一种氧化物TFT阵列基板的制造方法，该方法通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。如图3所示，本专利技术实施例中，氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其中，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：步骤S1、在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；步骤S2、在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶。上述技术方案，通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。结合图4和图5所示，其中，在基板1上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案5的步骤具体包括：步骤101、在一基板1（透明基板，如：玻璃基板、石英基板）上形成氧化物半导体层（图中未示出）；所述氧化物半导体层的材料可以选择非晶HIZO、ZnO、TiO2、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO或IGZO中的一种或多种。具体可以采用脉冲激光沉积、磁控溅射等成膜工艺在基板1上形成氧化物半导体层。步骤102、在所述氧化物半导体层上涂覆光刻胶；步骤103、结合图4所示，采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶完全保留区域100、光刻胶半保留区域101和光刻胶不保留区域102，其中，光刻胶完全保留区域100至少对应氧化物半导体层图案5的沟道区域，光刻胶半保留区域101至少对应氧化物半导体层图案5的其他区域，光刻胶不保留区域102对应其他区域；其中，光刻胶完全保留区域100的光刻胶厚度为1～4微米，光刻胶半保留区域10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶；所述在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶的步骤包括：在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层；在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，所述光刻胶保留区域至少对应氧化物半导体层图案的沟道区域，以及源电极和漏电极所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其他区域；刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层；剥离光刻胶保留区域的光刻胶，以及氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶，形成源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案的步骤包括：在所述基板上形成氧化物半导体层；在所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦纬，刘翔，金熙哲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11