本发明公开了一种存储器芯片及其操作方法。存储器芯片包括多个焊垫，该方法包括：接收一测试指令；根据该测试指令由该多个焊垫输出多个第一测试信号，其中任意两实体相邻的该多个焊垫所对应的该多个第一测试信号是彼此互补的；以及根据该测试指令，接着该...

本发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。该双极结晶体管包括阱区、射电极、基电极、集电极与导电层。射电极、基电极与集电极通过阱区互相分开。导电层位于基电极与集电极之间的阱区上。该双极结晶体管的制造方法，包括：形成一导电层于一阱区上；以及...

本发明是有关于一种半导体元件、静电放电保护元件及其制造方法。该静电放电保护元件包括栅极、栅介电层、N型源极区、N型漏极区、N型掺杂区以及P型掺杂区。栅介电层配置于基底上。栅极配置于栅介电层上。N型源极区与N型漏极区分别配置于栅极二侧的基...

本发明公开了一种存储器芯片及其操作方法。该存储器芯片包括多个焊垫；以及一单元，用以提供多个第一信号与多个第二信号至该多个焊垫，且这些第一信号在两实体相邻的该焊垫上是相互补的；且对应于每一该多个焊垫的第一信号与第二信号是彼此互补的。该存储...

本发明公开了一种待机电荷升压器装置及其操作方法，该装置包含一电荷升压器的一电荷升压输出与一电压转换器的一电容器耦接。此电压转换器的输出导致升压控制逻辑致能该电荷升压器。本发明也公开另一种待机电荷升压器装置，包含一个于一饱和区域中的晶体管...

本发明是关于一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge(锗)的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb(锑)的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te(碲)的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。此材料的富含锗族也描述...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第...

本发明是有关于一种记忆体结构，其区分为记忆胞区与非记忆胞区，且包括：多个记忆胞以及导体材料。多个记忆胞设置于记忆胞区中，且在此些记忆胞中具有多个第一凹部。导体材料跨越记忆胞区与非记忆胞区并覆盖记忆胞且深入多个第一凹部。藉此，本发明的记忆...

本发明公开了一种半导体装置、启动电路及其操作方法。启动电路包括晶体管、第一电路、第二电路、电压输入端与电压输出端。第一电路是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成。第二电路是由一个二极管或以串联方式电性连接的多个二极管所构成...

一种在半导体后段工艺中形成过孔的方法，包括沉积图案化过孔内部的第一金属粘着层的一部分，接着冷却步骤。在所述冷却步骤之后，再形成第一金属粘着层的剩余部分，并形成所述图案化过孔内部的第二金属粘着层。形成所述第一金属粘着层的剩余部分的工艺可参...

本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。该制造方法是先提供半导体基材(如裸硅)，并在半导体基材上形成介电层。藉由移除部分介电层,可在介电层中提供开口。共形的第一导电层是形成于介电层与开口上,共形的第二导电层是形成于第一导电层上，共形的...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体装置及其制造方法。该非挥发性记忆体装置的制造方法包括下列步骤：形成一导电层，其中该导电层具有一第一顶部；以及，将该第一顶部转换为一第二顶部，该第二顶部具有一穹形表面。该非挥发性记忆体装置包括：一晶体管结构...

本发明公开了一种具有二极管搭接的热辅助闪存及其操作和制造方法，该存储器包括一阵列的存储器单元，其包括数行与数列；存储器包括电路，其耦接至字线，施加一第一偏压至于阵列中的一或多条字线上的一第一组隔开的位置，同时施加一不同于第一偏压的第二偏...

本发明是有关于一种记忆体阵列的擦除方法，此记忆体阵列包括多个记忆胞串，每个记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞。此记忆体阵列的擦除方法包括下列步骤。提供第一电压至记忆体阵列的基底。提供第二电压至选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介...

本发明是有关于一种记忆体结构及其制造方法。该记忆体结构，包括记忆胞，而记忆胞包括下列构件。第一栅极设置于基底上。堆叠结构包括设置于第一栅极上的第一介电结构、通道层、第二介电结构与第二栅极、设置于第一介电结构中的第一电荷储存结构、及设置于...

本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多...

本发明公开了一种用于形成一存储器单元存取阵列的方法，其中存储器单元存取阵列包括一存储器装置，该存储器装置包括一存取装置，该存取装置包括具有一第一导电类型的一第一掺杂半导区域，与具有一第二导电类型的一第二掺杂半导体区域，该第二导电类型与该...

本发明公开了一种高耐用度相变存储器装置及其操作方法，该相变基础存储器装置及用于操作这类装置的方法克服了设定或复位失效模式且导致了增进的耐用度、可靠度及数据储存表现。高电流修复操作响应于相变存储器单元的设定或复位失效而进行。较高电流修复操...

本发明公开了一种三维阵列存储器装置及其操作方法，该三维阵列存储器装置包括：一选择线与多个二极管；选择线是位于源极线及位线其中之一，与存储器单元之间；二极管位于其他位线及源极线，与存储器单元之间，用以提供存储器单元必要的绝缘。