本发明公开了一种相变化存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路。该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集...

本发明公开了一种电荷升压器装置。该电荷升压器装置，包含一第一电荷升压器，其具有多个串联安排的电荷升压器阶段。介于相邻阶段之间的阶段间节点由一第二电荷升压器进行升压。本发明还公开一种方法，该电荷升压器阶段的时序至少通过一命令时钟信号控制。...

本发明是有关于一种只读记忆体及其制造方法。该只读记忆体，包括基底、源极区与漏极区、电荷储存结构、栅极和局部极端掺杂区。上述源极区与漏极区设置于基底中、电荷储存结构位于源极区与漏极区之间的基底上、栅极则设置于电荷储存结构上。局部极端掺杂区...

本发明公开了一种具有寻址及相邻位的存储单元的集成电路及该存储单元的操作方法。一非易失存储单元的储存层，例如是氮化硅，其具有两个储存部分分别储存可寻址的数据，通常分别是邻近源极终端与漏极终端。当感测储存于储存部分的其中之一的数据时，所施加...

本发明公开了一种具有动态感测区间的集成电路及其操作方法。该集成电路包括一存储阵列，该存储阵列由一阈值定义加以特性化，其包括多个阈值电压范围代表由该存储阵列的一部分储存的数据值，以及一组感测区间分隔该多个阈值电压范围。该阈值定义会变动而响...

本发明公开了一种用于电平转换的集成电路及电压电平转换的方法该集成电路包括一电平转换器、一上拉电路及一电压调节电路。此电平转换器及上拉电路由相同的供应电压提供电源，此电压调节电路将自此电平转换器所使用的供应电压改变为另一电压电平。

本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一第二导电型的第一阱区、一第二导电型的掺杂区、一场氧化物以及一第二导电型的第二阱区。第一阱区形成于衬底中。掺杂区形成于第一阱区中，掺杂区具有一第一杂质净浓度。场...

本发明公开了一种制作金属硅化物的方法及应用其的半导体结构。该制作金属硅化物的方法，包括下列步骤：提供一衬底，衬底具有一第一区域与一第二区域；形成一硅层于衬底上；进行一平坦化工艺，以使硅层具有一平坦表面；移除部分硅层，以在第一区域形成多个...

本发明公开了一种具有不同持续时间的多阶段擦除程序的非易失存储阵列，此阵列中的一存储单元区块可以由这些不同的多阶段擦除程序之一加以擦除。本发明还公开了一种擦除非易失存储阵列中存储单元的方法，该方法包括：接收一擦除命令辨识该非易失存储阵列中...

本发明公开了一种侦测地址转变的电路与方法，该地址转变侦测电路以用于包含多条地址信号线的总线中，其包含每一条地址信号线的一第一电路及一第二电路。每一个第一电路具有一第一输入、一第二输入及一输出。此第一输入与一地址信号线耦接，而此第二输入与...

本发明公开了一种具有可编程金属化单元的存储装置与集成电路及其操作方法与制造方法。该可编程金属化装置包括一第一电极和一第二电极、以及一第一介电层、一第二介电层、和一离子提供层串联地位于第一电极和第二电极之间。操作时，一电导桥形成或破坏于第...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一叠层结构与第二叠层结构。第一源/漏极区形成于衬底中。第二源/漏极区形成于衬底中。第一叠层结构位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间的衬底上。...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型...

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一形成于衬底中的第二导电型的阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化物、一第一介电层以及一第二介电层。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区中。场氧化物形成于阱区...

本发明公开了一种形成三维非易失存储单元阵列的方法，以及具有该三维非易失存储单元阵列的集成电路。一种具有嵌镶字线的三维非易失存储单元阵列，例如是硅的导线形成于非易失存储结构叠层之上，字线沟道用来分隔相邻的硅线，这些由字线沟道分隔的硅线被氧...

本发明公开了一种例如是在不同区段的介于该存储阵列的一来源页面与该存储阵列的一目的页面间复制写回编程的页面复制操作。此区段分割此主要阵列的行及冗余阵列中的该组冗余行为例如多个列组。该复制写回编程将数据从该冗余阵列中该来源页面一部分的数据复...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体区、第二半导体区、介电结构与栅电极层。第一半导体区具有第一导电型。第二半导体区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一半导体区是邻接第二半导体区。介电结构位于第一半导体区与第...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，其结构包括一衬底、一第一叠层结构、以及一第一导电层。第一叠层结构形成于衬底上，第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构，导电结构是设置邻接于绝缘结构。第一导电层形成于衬底上并围绕第一叠层结构的两侧壁...

本发明公开了一种高压半导体元件及其操作方法。高压半导体元件包括一高压金属氧化物半导体晶体管及一NPN型静电保护双极晶体管。高压金属氧化物半导体晶体管具有一漏极及一源极。NPN型静电保护双极晶体管具有一集极及一发射极。集极电性连接于漏极。...

本发明是一种记忆装置及产生程序化偏压脉冲的方法和集成电路，是改善边界及抑制干扰的快闪记忆体程序化技术。其记忆装置包括多个记忆胞串列，并具有多条字元线。一选取目标记忆胞由递增步进脉冲程序化加以程序化，其包括施加具有至少一循环的阶梯轮廓的程...