具有寻址及相邻位的存储单元的集成电路及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有寻址及相邻位的存储单元的集成电路及该存储单元的操作方法。一非易失存储单元的储存层，例如是氮化硅，其具有两个储存部分分别储存可寻址的数据，通常分别是邻近源极终端与漏极终端。当感测储存于储存部分的其中之一的数据时，所施加的漏极电压是根据储存于储存部分的其中之另一中的数据。假如储存于储存部分的其中之另一中的数据由一超过最小阈值电压的一阈值电压所代表，则增加所施加的漏极电压。此技术在读取操作与编程验证操作中可以使阈值电压区间变宽。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路，包含：一非易失存储单元，包括：一第一电流负载终端，一第二电流负载终端及一栅极；一第一储存部分邻近该第一电流负载终端，并且储存第一数据；及一第二储存部分邻近该第二电流负载终端，并且储存第二数据；控制电路施加一读取编排偏压至该第一电流负载终端，该第二电流负载终端及该栅极，所施加的该读取编排偏压是读取该第一数据及该第二数据的其中之一，该读取编排偏压是根据该第一数据及该第二数据的其中之另一。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈汉松，陈重光，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：