本发明公开了一种半导体多层结构及其制造方法，该半导体多层结构包括多层第一导电层、多层第一绝缘层及一第二导电层；此多层第一导电层彼此间隔地设置，每一个第一导电层具有一上表面、与上表面相对而设的一下表面及侧壁；第一绝缘层环绕于第一导电层的周...

本发明公开了一种具有动态错误侦测及更正的存储器，其使用一错误更正表格而可以嵌入于一集成电路存储装置中。此错误更正表格包含当进行一数据读取操作时所侦测并更新的错误而产生的项目。于后续读取时，此表格中的项目通过在数据输入到错误更正码逻辑之前...

本发明公开了一种切换装置及其操作方法与存储器阵列。该切换装置包括第一固态电解质层、第二固态电解质层与切换层，切换层邻接于第一固态电解质层与第二固态电解质层之间。切换装置能够控制存储器阵列中的存储装置的开关状态，进而避免漏电流。

本发明公开了一种高压半导体元件的场元件，该场元件包括一第一导电型的一衬底；一第一阱为一第二导电型，是形成于衬底内并由衬底的表面向下扩展；一第二阱，为第一导电型和形成于衬底内并由衬底的表面向下扩展，第二阱邻接第一阱的一侧，而衬底则位于第一...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含串联安排的一第一导体，一二极管，一存储元件，及一第二导体。该二极管包括于一侧壁半导体层中的一PN结。此二极管包括一第一半导体层位于第一导体之上且与其电性沟通。一具有侧壁的图案化绝缘层于...

本发明公开了一种具有三维阵列结构的存储装置，该三维阵列结构包含存储层及放置于存储层之间的晶体管结构；每一个存储层与一共同电极连接，而且每一个晶体管结构包含分享共同集极结构和共同基极结构的晶体管；每一个晶体管结构也包含一射极结构通过共同基...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括一衬底、一主体结构、一第一介电层、一第一条状导电块和一第二条状导电块、一第二介电层以及一导电结构。主体结构形成于衬底上，第一介电层形成于衬底上并围绕主体结构的两侧壁和顶部。...

本发明公开了一种集成电路装置及用以形成层间连接件于三维叠层集成电路装置中的方法。该集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件；层间连接件自装置的一表面延伸至导电层；多个接触开口建立而贯穿一介电层至一第一导电层...

本发明是有关于半导体装置及形成半导体结构的方法。该方法，首先形成一第一层于一基板上。之后，形成且图案化一掩膜层于该第一层之上。蚀刻部分通过该第一层。形成一第二层于该第一层之上。以及，藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。藉此本发明可...

本发明公开了一种存储装置的操作方法与存储器阵列及其操作方法。存储装置的操作方法包括以下步骤：使存储装置处在设定状态，方法包括提供第一偏压至存储装置；读取存储装置的设定状态，方法包括提供第二偏压至该存储装置；提供回复偏压至存储装置；提供回...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基体、栅极、源极、漏极与基体接触区；栅极位于基体上；源极与漏极分别位于栅极的相对两侧上的基体中；基体接触区仅位于基体邻近源极的一区域中并电性连接至基体。

本发明公开了一种具有热局限间隔物的存储装置及其制造方法，该装置包括一接点阵列及一图案化绝缘层于该接点阵列之上；该图案化绝缘层包括一沟道；该沟道包括一侧壁与该阵列中的多个接点对准；多个底电极于该侧壁的较低部分而与其各自接点的上表面接触；一...

本发明公开了一种具有嵌镶字线的三维非易失存储单元阵列及其形成方法，该存储单元阵列例如是硅的材料线部分氧化形成于非易失存储结构叠层之上，通过自多个部分氧化的硅线的中间部分除去该多个未氧化的硅线，及保留该多个部分氧化的硅线的外侧部分的该多个...

本发明是有关于一种制造半导体结构的方法及半导体结构。此半导体结构具有一大致为V形轮廓的浅沟渠隔离结构，其中该侧壁是逐步倾斜的，且其中该侧壁上半部间的距离大于该侧壁下半部间的距离。此半导体结构是利用离子布值将杂质布植于侧壁中，其允许侧壁的...

本发明公开了一种电压缓冲装置，用于对芯片提供带隙缓冲电压，包含：运算放大器，具有输出端以及接收输入带隙电压的输入端；共享源极晶体管，具有连接于输出端的栅极端与对芯片提供带隙缓冲电压的漏极端；以及开关元件阵列，其包含具有多个第一型晶体管的...

本发明是有关于一种控制晶圆的厚度轮廓的系统、方法及化学机械平坦化机台，是通过使用封闭回路控制以改善晶圆内均匀性的化学机械平坦化工艺。举例而言，可以使用封闭回路控制以决定此化学机械平坦化工艺的控制模式而在半导体晶圆内获得较均匀地及一致地的...

本发明关于一种电阻式存储器及其制造方法。此电阻式存储器包括第一电极、第二电极、可变电阻材料层、第一介电层以及第二介电层。第一电极具有第一部分及第二部分。第二电极相对于第一电极而配置。可变电阻材料层具有侧壁以及相对的第一表面及第二表面，其...

本发明是有关于一种保护元件以及具有此保护元件的静电放电保护装置。该静电放电保护装置，包括保护元件与元件控制器，且保护元件包括配置于N型深井区内的第一与第二P型井区、形成于N型深井区与第一P型井区内的第一N型晶体管，以及形成于N型深井区与...

本发明公开了一种NAND闪存及对其施加偏压的方法，电荷储存存储器是被设计于一NAND阵列中，并包括经由串行选择开关耦接至位线的多个NAND串行且包括多条字线。一控制器产生一偏压，用于针对NAND阵列的一选定存储单元执行一操作。此偏压包括...

本发明公开了一种用于帮助包括集成电路的预烧板的使用的系统、方法以及设备。设备可包括一预烧板以及连接至预烧板的多个集成电路。每个集成电路可被设计成用于至少：连接至待受到一预烧过程的多个组件；接收至少一信号，用于在预烧过程期间测试多个组件；...