本发明揭露了一种具有变动压降的存储器架构的位线偏压电路。此压降是根据所选取被读取存储单元的临界电压或是流经所选取被读取存储单元的感测电流。

本发明公开了一种半导体元件、其制造方法及其操作方法。半导体元件包括一衬底、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第四阱、一底层、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区及一场效电板。第一阱、第二阱、第三阱及第四阱设置于衬底上。第一阱、底...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括栅介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电结构以及二个掺杂区。栅介电层配置于基底上。浮置栅极配置于栅介电层上。控制栅极配置于浮置栅极上。栅间介电结构配置于控制栅极与浮置栅极之...

本发明公开了一种改良的肖特基二极管结构及其制造方法。此肖特基二极管结构具有p型主体区域在操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及场-平板结构在操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。N阱区域注入于该硅衬底内的一p型外延层之上，...

本发明公开了一种三维多芯片叠层模块及其制造方法，该三维叠层多芯片模块包括具有W个IC芯片的叠层，每一芯片具有一图案化导电层，包括一具有导电体的电接点区，在一些范例中更包括衬底上的元件电路；叠层芯片中的导电体相互对齐，多个电连接器沿叠层内...

本发明是有关于一种阻障堆叠结构及形成阻障堆叠结构的方法。该方法包括提供一基板；以一第一气相沉积工艺形成一导体层于该基板上；以一第二气相沉积工艺形成一第一非晶质薄膜于该导体层上；对该第一非晶质薄膜进行一改质工艺，以将该第一非晶质薄膜改质为...

本发明公开了一种集成电路电容器及其制造方法，该电容器包括一系列的山脊与沟道及一互连区域于该集成电路衬底之上，该系列的山脊与沟道及该互连区域具有一电容器基础表面，此电性导体自该互连区域电性连接该电极层以存取该电容器构件的该电极层。

本发明公开了一种对存储器进行群组式耗损平均的方法及设备。该群组式耗损平均方法用于包括多个页面的存储器，包括依据多个使用次数指派使用中的页面给多个使用中的群组；该多个使用中的群组包括最低使用次数范围的低度使用中的群组，以及最高使用次数范围...

本发明公开了一非易失存储阵列具有多个各属多种阈值电压范围其中之一的存储单元，该多种阈值电压范围包括至少一擦除阈值电压范围及一编程阈值电压范围。响应一擦除命令以擦除该非易失存储阵列中的一群存储单元，其具有包含至少一预编程阶段及一擦除阶段的...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：一半导体沉积层，形成在一绝缘结构上及一衬底之上；半导体元件更包括一栅极，形成在半导体沉积层的第一与第二注入区之间的一接触区上；第一注入区与第二注入区两者皆具有一第一导电型，且栅极...

本发明公开了一种通过使用回复偏压来减少存储器中擦除干扰的方法与装置。一非易失存储阵列分割成多个存储群组，此非易失存储阵列接收一擦除命令以擦除一第一组的存储群组且不会擦除一第二组的存储群组。此控制电路响应该擦除命令利用施加一回复调整偏压来...

本发明公开了一种集成电路装置及其操作方法。该集成电路装置包括半导体衬底、设置于衬底上包括NAND存储单元的第一存储方块、设置于衬底上包括NAND存储单元的第二存储方块。第一存储方块用以储存第一使用式样的数据，响应于第一操作算法以进行数据...

本发明公开了一种平坦度修正臂、应用其的平坦化系统及平坦化方法。平坦化系统包括研磨垫、研磨头及平坦度修正臂；研磨头抵压待加工件于研磨垫上；平坦度修正臂包括摇臂、加工头、光发射器、光接收器、表面轮廓取得单元及控制单元；加工头连接于摇臂；光发...

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一衬底、一第一导电型的阱区、一第二导电型的阱区、一本体区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一场板。第一导电型的阱区与第二导电型的阱区分别形成于衬底中。本体区形成于第二导...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括对组的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括相互平行设置的N条第一导线、M条第二导线于第一导线上方、N条第三导线垂直于第二导线上方并与第一导线平行、N个第一通孔分别连接第一导线、M组第二通...

本发明公开了一种阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法。该存储单元包括存取装置以及可编程电阻存储元件。该方法包含辨识在该存储阵列中瑕疵存储单元的地址，以及施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元。此修改偏压条件会导致该...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block?region)...

本发明公开了一种芯片封装结构的输出入接口及其配置方法，该输出入接口，用于一芯片封装结构中；芯片封装结构具有一集成电路以及包覆集成电路的一封装体；输出入接口包括多个输出入脚位以及一替代性脚位；此些输出入脚位排列于封装体的周围，此些输出入脚...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一叠层结构及一掺杂层；叠层结构形成于衬底上，其中叠层结构包括多条导电条纹及多条绝缘条纹，该多条导电条纹之一位于相邻二绝缘条纹之间，叠层结构具有一第一侧壁，第一侧壁的长边沿一...

本发明公开了一种存储器装置的检测方法。存储器装置包括多个存储单元以及分别连接该多个存储单元的栅极与漏极的多条第一传导线与第二传导线。此检测方法包括：在一读取程序期间，提供一正电压至该多个第一传导线之一，以选择开启该多个存储单元之一，并提...