半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括对组的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括相互平行设置的N条第一导线、M条第二导线于第一导线上方、N条第三导线垂直于第二导线上方并与第一导线平行、N个第一通孔分别连接第一导线、M组第二通孔分别连接第二导线、和N组第三通孔分别连接第三导线。其中，第二导线和第一导线形成一重叠区域；第三导线和N组第三通孔都至少分成两部份，分别位于重叠区域中一对角方向的第一区域和第三区域；M组第二通孔亦分成两部份，分别位于另一对角方向的第二区域和第四区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一第一芯片，包括：相互平行设置的N条第一导线，N为正整数；相互平行设置的M条第二导线，垂直位于该多条第一导线的上方，其中该多条第二导线和该多条第一导线形成一重叠区域，M为正整数；相互平行设置的N条第三导线，位于该多条第二导线上方，且与该多条第二导线垂直而与该多条第一导线平行，该多条第三导线至少分成两部份分别位于该重叠区域中一对角方向的一第一区域和一第三区域；N个第一通孔(first?Via)，分别连接该多条第一导线；M组第二通孔(second?Via)，分成两部份分别位于该重叠区域中另一对角方向的一第二区域和一第四区域，并分别连接该多条第二导线；和N组第三通孔(third?Via)，分成两部份分别位于该第一区域和该第三区域，并分别连接该多条第三导线；和一第二芯片，该第一芯片是与该第二芯片对组。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈士弘，谢光宇，王成渊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：