本发明公开了一种邻接沟道侧壁的三维存储阵列及其制造方法。存储单元阵列包含一由多个存储单元构成的叠层，该多个存储单元以邻接于在沟道内形成的导线所具有的相对二侧面的方式布置。存储单元的叠层使得各存储单元的存储元件表面成为沟道侧壁的一部分。导...

本发明是有关于一种静电放电保护装置，其包括修改型横向硅控整流器与电压控制电路。修改型横向硅控整流器具有第一端、第二端与连接第一P+型掺杂区的控制端，其中第一端与第二端分别电性连接第一配线与第二配线。电压控制电路电性连接第一配线、第二配线...

本发明公开了一种具有一读取追踪时钟的闪存及其方法，所提出的闪存包含一第一与一第二储能电容，一第一电流源，其提供流经该第一储能电容的一第一电流，一第二电流源，其提供流经该第二储能电容的一第二电流，以及一比较器，电连接于该第一电流源以及该第...

本发明具有分段字线的热辅助闪存公开了一种存储器，其包括一阵列的存储器单元，存储器单元包括数行与数列，该阵列包括多条沿着列的分段字线。分段字线的所述段包括多条局部字线。多个第一开关与多个第二开关耦接至所述局部字线的对应第一与第二端。存储器...

本发明公开了一种掩模及其图案配置方法与曝光方法。掩模的图案配置方法包括以下步骤：将多个几何图案以多行排列于一掩模；排列于奇多行的几何图案的排列方式相似，排列于偶多行的几何图案的排列方式相似；选取二奇多行或二偶多行为一第一边界行及一第二边...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电...

本发明公开了一种使用移动通讯装置作为记录数据交换的装置的基于数据交换的移动通讯方法。一操作服务器由移动通讯装置中接收数据交换记录——分别通过电信网络和近端无线通讯。由此，数据交换记录在该操作服务器能够得到确认。

本发明是关于一种放置一晶圆于一可旋转吸盘支撑座上的装置、系统及方法，以改善晶圆制造不同阶段中的晶圆光刻胶边缘移除宽度及轮廓的准确性。此装置、系统和/或方法可以使用一个或多个晶圆位置计算器以计算该晶圆的该预期位置且提供给一晶圆传送手臂控制...

本发明公开了一种存储装置及选取该存储装置中区域位线的方法，该存储装置包括存储单元区块具有多个阶层；每一阶层包括多个存储单元长条是延伸于存储单元区块的第一端与第二端间的一第一方向；每一阶层中的第一位线结构是位于存储单元区块的第一端，与自第...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一有源元件、一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件。衬底具有一第一区及与第一区相连的一第二区。有源元件具有一掺杂区，掺杂区位于第一区。第一半导体元件、第二半导体元件...

本发明公开了一种页面缓冲器电路装置及其操作方法，该装置包含一页面缓冲电路，该页面缓冲电路与一存储阵列的一位线耦接，包括一栓锁储存一多阶段编程操作不同阶段的数据。一准备阶段于该目前多阶段编程操作的该编程阶段及该编程验证阶段之后。在此准备阶...

本发明是有关于一种记忆体阵列的程序化方法，其中，记忆体阵列包括由第一晶体管、多个记忆胞与第二晶体管串接而成的记忆胞串，且记忆体阵列的程序化方法包括下列步骤。在设定阶段内，关闭这些记忆胞中的切换记忆胞，并施加第一电压与第二电压至切换记忆胞...

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及半导体元件。此方法包括提供半导体基底，并在此基底上形成第一导体层。在一范例中，在此半导体基底上形成绝缘层，并在此绝缘层上形成前述的第一导体层。此方法也包括在前述第一导体层上形成导体层间介电层。关于...

本发明公开了一种测量装置与测量薄膜的厚度的方法。测量装置是用以测量测试结构的厚度。测量装置包括测量元件。测量元件是用以在与测试结构的上表面碰触的同时，测量测试结构的厚度。利用本发明，靶材在测量厚度之后可以继续利用在工艺中，而厚度的结果也...

本发明是有关于一种静电放电保护装置，包括箝制单元及控制电路。箝制单元提供由第一电源配线至第一接地配线的放电路径。控制电路接收来自第一电源配线的第一电源电压以及来自第二电源配线的第二电源电压。其中，当第一电源电压与第二电源电压被供应时，控...

本发明公开了一种集成电路及其操作方法，该集成电路包括一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，该多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，该多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选...

本发明公开了一种电流感测型感测放大器及其方法，该感测放大器包含一开关电路具一主控开关、一感测开关与一保持开关，其中该三开关分别具有一第一偏压、一第二偏压与一第三偏压，以及一辅助控制开关，电连接于该保持开关以控制该保持开关的操作。

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括接点配置、绝缘层、多个侧壁电极以及存储器材料，接点配置具有多个上表面，绝缘层位于该接点配置之上并具有一沟道，该沟道的配置中，至少具有一侧壁排列于多个接点的上表面，侧壁电极位于沟道的...

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括栅极、栅介电层及二电荷储存层。栅极位于基底上。栅介电层位于栅极与基底之间。栅介电层的宽度小于栅极，而在栅介电层两侧、栅极下方及基底上方形成一空隙。各电荷储存层包括主体部、第一延伸部与...

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括穿隧介电层、栅极、至少一电荷储存层、二掺杂区以及字元线。穿隧介电层位于基底上。栅极位于穿隧介电层上。电荷储存层位于栅极与穿隧介电层之间。掺杂区位于栅极两侧的基底中。字元线位于栅极上，...