【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种记忆装置,其特征在于其包含:多个感测节点及参考节点;多个记忆胞串列,每一个串列安排连接介于对应的感测节点与参考节点之间,且包括一串列选择切换开关以选择性地连接该串列至对应的位元线;多条字元线及至少一条串列选择线,字元线与该多个记忆胞串列中对应的记忆胞耦接且该至少一条串列选择线与对应的串列选择切换开关耦接;以及逻辑与电路,和该多条字元线、该至少一条串列选择线、该多条位元线及该参考节点耦接,以程序化一选取串列中一记忆胞的一选取字元线以建立一程序化记忆胞临界电压在一目标临界电压内,该逻辑与电路组态为施加一程序化偏压脉冲,其包括:施加一程序化电压至该选取字元线及通过电压至该多条字元线中的其他字元线,该程序化电压及至少一通过电压于该程序化偏压脉冲的一初始阶段中具有一第一大小,并在后续阶段中转变至各自的一第二大小;施加一位元线电压至与该所选取串列对应的感测节点及一参考电压至与该所选取串列对应的该参考节点;及施加一串列选择电压至该至少一条串列选择线,该位元线电压及该串列选择线电压是用来在该程序化偏压脉冲的该初始阶段中开启该串列选择切换开关,并在该后续阶段中关闭该串列选择切换开关或是降低该串列选择 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘注雍,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。