在实施例中，一种半导体器件包括：下源极/漏极区域；上源极/漏极区域；上源极/漏极区域和下源极/漏极区域之间的纳米结构；延伸到纳米结构的侧壁中的栅极结构，该栅极结构包括栅极电介质和栅电极，栅电极的外侧壁与栅极电介质的外侧壁对齐；以及与栅极...

本文公开了用于堆叠器件结构的器件的偶极工程技术。用于形成晶体管堆叠件的晶体管(例如，顶部晶体管)的栅极堆叠件的示例性方法包括：形成高k介电层；在高k介电层上方形成n‑偶极掺杂剂源层；实施热驱入工艺，热驱入工艺将n‑偶极掺杂剂从n‑偶极掺...

本申请的实施例提供了一种集成电路(IC)器件及其制造方法。IC器件包括衬底、相应地位于衬底中不同的第一掺杂区和第二掺杂区中的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件的栅极电耦合到第二半导体器件的源极/漏极。IC器件还包括被配置为第...

本技术为提高EUV发射的稳定性，在旋转的坩锅的内壁加上凸起和檐口，该旋转的坩锅通过使用雷射蒸发预热的金属(例如锡)来产生极紫外光。凸起和檐口可防止碎屑移动并控制液体金属流动，否则液体金属流动会随着坩锅旋转产生的离心力而随着时间分布。凸起...

本技术提供一种集成电路包括在第一方向上延伸的第一电源轨条及第二电源轨条以及通过由第一通孔连接件而连接至第一电源轨条的第一电网短截线。所述集成电路亦包括在电路胞元中在第一垂直胞元边界与第二垂直胞元边界之间在第二方向上延伸的第一垂直导线。第...

本技术提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一半导体管芯，包括半导体衬底及设置于半导体衬底上的第一互连结构；第二半导体管芯，设置于第一半导体管芯上并电性连接至第一半导体管芯，所述第二半导体管芯包括：第二半导体衬底及第二互连结构；第三...

一种整合式晶片包括第一金属绝缘体金属(MIM)电容器，该第一金属绝缘体金属电容器设置在基板上。该整合式晶片进一步包括第二MIM电容器，该第二MIM电容器设置在该基板上。该第一MIM电容器具有面向该第二MIM电容器的第二外侧壁的第一外侧壁...

本发明提供一种集成电路封装。集成电路封装包括封装组件，封装组件包括集成电路晶粒和连接到集成电路晶粒的导电连接件，导电连接件设置在封装组件的前侧处。装置还包括背侧金属层在封装组件的背面。装置还包括位于背侧金属层的背面的铟热界面材料。装置还...

本公开的各种实施例提供了半导体结构，该半导体结构包括：衬底；互连结构，位于衬底上方，并且互连结构包括位于互连结构顶部处的互连焊盘；覆盖层，位于互连焊盘上方；蚀刻停止层，位于覆盖层上方；以及接合结构，位于互连结构上方，并且接合结构包括接合...

一种半导体封装包括封装基板以及中介层模块。封装基板包括上表面层，包括具有第一表面粗糙度的第一表面区域、以及具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度的第二表面区域。中介层模块安装在第二表面区域中的封装基板的上表面层上。半导体封装也可以包括中...

本技术提供一种非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构，包括反铁电层而非铁电层。反铁电层可基于程序化状态及擦除状态操作，其中反铁电层分别处于完全极化对准及非极化对准(随机极化状态)。此使得FeFET中的反铁电层能够相对于基于在两个相反的...

本技术的实施例提供一种使用集成电路封装的装置包括：集成电路封装，所述集成电路封装包括封装组件及贴合至封装组件的封装加强件；贴合至集成电路封装的散热片，所述散热片的主要部分设置于封装加强件上方，所述散热片的突出部分延伸穿过封装加强件；位于...

本技术提供一种高架运输系统中的设备。所述设备包括：吊架特征，被配置成悬挂于天花板；板状结构，具有顶表面及底表面，底表面可旋转地耦接至吊架特征；以及至少一对轨道构件，所述至少一对轨道构件藉由多个轭构件机械地耦接至板状结构的底表面。

本技术的各种实施例是有关于一种半导体装置。基底具有第一侧及与第一侧垂直地相对的第二侧。感测晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。多个电压参考晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。电压参考晶体管设置于感测晶体管的不同的侧向侧上。结构设...

本公开涉及一种光学数模转换器(DAC)及其形成方法。光学DAC包括配置为接收第一光学信号的第一波导路径和配置为接受第二光学信号的第二波导路径。第一相移器区段与第一和第二波导路径对接。第一相移器区段配置为响应于第一数字输入而选择性地在第一...

本技术提供一种冷却盖和包括其的封装的半导体装置。包括用于冷却封装的半导体装置的梯形冷却室的冷却盖。在一个实施例中，用于半导体装置的冷却盖包括入口；出口；冷却室与入口和出口流体连通，冷却室在截面视图中具有梯形形状。

一种形成半导体结构的方法包括：在半导体衬底的本体部分上方形成栅电极和第一源极/漏极区，形成切割金属栅极区以将栅电极分离成第一部分和第二部分，形成与第一源极/漏极区重叠并且电连接到第一源极/漏极区的源极/漏极接触插塞，形成与切割金属栅极区...

一种封装体，包含第一晶圆，包含第一基板；至少一第一介电层，于第一基板上方；第一密封层，于第一晶圆的第一边缘区；以及第一接合层，与至少一第一介电层以及第一密封层两者重叠；以及第二晶圆，接合至第一晶圆，第二晶圆包含第二基板；至少一第二介电层...

本公开提供一种半导体装置。第一晶体管包括第一栅极、第一源极/漏极以及设置于第一源极/漏极上方的第一源极/漏极接点。第一栅极具有在第一横向方向上测量的第一尺寸。第一源极/漏极接点具有在第一横向方向上测量的第二尺寸。第二晶体管包括第二栅极、...

本文描述的一些实施包括形成集成电路的方法。此方法包括使用支撑填充混合物，其包括在半导体衬底的堆叠的侧向间隙区中以及沿着半导体衬底的堆叠的周边区的各种类型的复合颗粒的组合。组合中包含的一种类型的复合颗粒可以是尺寸相对较小，并包含光滑的表面...