一种半导体结构，包括一N型场效晶体管，包括：一第一纳米结构堆叠，其中该第一纳米结构堆叠的多个纳米结构交互叠置；一第一栅极介电结构，其在一截面图中周向地环绕该第一纳米结构堆叠中的每个纳米结构；及一N型功函数(WF)金属层，其在该截面图中周...

半导体装置包括第一通道区与第二通道区形成于基板上。第一通道区与第二通道区延伸于第一横向方向中并彼此平行。半导体装置包括介电结构，沿着第二横向方向夹设于第一通道区与第二通道区之间，且第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括第一隔离结...

本技术实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括封装组件、设置在封装组件周围的包封体、以及设置在封装组件及包封体之上的重布线结构。封装组件包括：衬底；保护结构，包含有机材料，位在衬底的第一表面之上；以及多层式结构，由保护结构包封。多层式结...

一种半导体器件，包括器件层，所述器件层包括第一晶体管；在所述器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。第二互连结构包括电源导轨。该器件还包括接合到第一互连结构的载体衬底和接触载体衬底的第一散热层。本申请的实施例还...

本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在物理汽相沉积(PVD)系统的腔室中引入靶体。该方法包括基于第一补偿函数在衬底上沉积膜的第一部分，第一补偿函数的第一值根据靶体的寿命来确定。该方法包括基于第二补偿函数在膜的第一...

IC结构包括：半导体衬底；隔离结构，形成在半导体衬底中，从而限定由隔离部件围绕的有源区域；第一导电类型的第一阱，形成在半导体衬底中；中性区域，形成在半导体衬底中并且横向围绕第一阱；第二导电类型的第二阱，形成在半导体衬底上并且横向围绕中性...

公开了用于电容等效厚度缩放的栅极堆叠件制造技术。用于形成栅极堆叠件的示例性方法包括：形成界面层；在界面层上方形成高k介电层；以及在高k介电层上方形成导电栅极层。形成高k介电层包括形成含第4族元素的介电层(例如，HfO<subgt;...

一种集成电路(IC)器件，包括底部半导体器件、在IC器件的厚度方向上位于底部半导体器件之上的顶部半导体器件、以及在厚度方向上在底部半导体器件和顶部半导体器件之间的多层结构。多层结构包括在底部半导体器件上的下介电层、在下介电体层上的上介电...

本申请的实施例提供了一种低热预算介电材料处理。本公开的示例性方法包括：提供半导体结构，在半导体结构上方沉积介电材料；利用超临界流体中携带的气态物质处理介电材料，并且在处理之后，减小介电材料的厚度。根据本申请的其他实施例，还提供了制造半导...

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法包括形成互补场效应晶体管(CFET)，包括形成n型晶体管和与n型晶体管重叠的p型晶体管。n型晶体管的形成包括形成包括第一半导体材料的第一沟道区域，以及在第一沟道区域的一侧上形成连接到第一...

本申请的实施例是一种集成电路封装件，该集成电路封装件包括：衬底，包括导电焊盘；封装组件，利用焊料连接件接合至衬底的导电焊盘，封装组件包括集成电路管芯，集成电路管芯包括管芯连接件，焊料连接件中的一个耦接至管芯连接件的每个和衬底的相应导电焊...

一种阱等离子体诱导损伤保护电路，包括衬底、衬底上并包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的p阱区、衬底上且包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的n阱区、保护金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极/源极区，以及至少一个控制电路。第一导电连接...

本技术实施例提供集成电路封装。在一实施例中，一种组件包含：电力分配插入件，包含：第一接合层；第一管芯连接件，处于第一接合层中；以及背侧互连结构，包含连接至第一管芯连接件的电力轨；以及集成电路管芯，包含：第二接合层，藉由介电质对介电质接合...

本公开涉及在高NA EUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。第一明场掩模板和第二明场掩模板用于双重曝光EUV光刻工艺，其中，第一和第二掩模板的曝光区域重叠。第一和第二掩模板各自分别包括：衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的吸收材料...

本技术提供一种封装结构，封装结构包括重布线路结构、配线衬底、第一导电端子、绝缘包封体及半导体装置。重布线路结构包括经堆叠介电层、重布线配线以及第一导电接垫。第一导电接垫设置于经堆叠介电层之中的最外部介电层的表面上，第一导电接垫通过最外部...

本发明实施例提供一种冷却系统包括塔体、散热组件、进液单元、集液槽、风扇单元及补液及消泡单元。塔体具有出风口与入风口。散热组件配置于塔体内且位于出风口与入风口之间。进液单元连接塔体以提供冷却液到塔体，冷却液的流动路径通过散热组件。集液槽连...

提供一种包括电浮置金属线的半导体器件。半导体器件可以包括集成电路管芯、围绕集成电路管芯的包封体、位于包封体上的重布线结构、设置于重布线结构上的第一电浮置金属线、连接到重布线结构的第一电构件以及位于第一电构件与重布线结构之间的底部填充剂。...

本技术的各种实施例是关于一种开关，包括：加热器层、位于加热器层上的相变材料(PCM)层、以及形成于PCM层附近且包括中央区及边缘区的扩散器层，中央区具有第一导热率，且边缘区的第二导热率不同于第一导热率。

本公开提供一种集成电路器件。在一些实施例中，转移栅电极在表面以下。在一些实施例中，转移栅电极的顶部几乎与浮接扩散区的底部齐平或低于浮接扩散区的底部。在一些实施例中，转移栅电极部分环绕浮接扩散区的范围。在一些实施例中，转移栅电极完全围绕浮...

本技术一些实施例涉及一种磁性存储器装置。所述磁性存储器装置包含经配置以感测外部磁场强度的磁性感测阵列。所述磁性存储器装置进一步包含经配置以响应于所述外部磁场强度大于阈值磁场强度而提供不同于所述磁性存储器装置的当前写入电压的测试电压的电压...