本发明提供一种在电路设计中选择装置的方法及系统及计算机可读取媒体。在电路设计中选择装置的方法包括：对源‑电路设计(SCD)中的源PDK装置(SPD)进行标记；基于SCD中的SPD的源设计关键效能指示符(KPI)仿真数据产生源设计仿真数据...

本申请公开了互连结构中的选择性金属帽。各实施例提供一种方法和所得结构，该方法包括：在电介质层中形成开口以暴露金属特征，在金属特征上选择性地沉积金属帽，在金属帽之上沉积阻挡层，以及在阻挡层上沉积导电填充物。

一种互连结构及其半导体装置，互连结构可用于半导体装置。互连结构包含：接触层由金属所制成；一或多个介电层位于接触层之上；沉积层由绝缘材料所制成。互连结构还包含沟槽穿过一或多个介电层，以使沟槽的侧壁表面由一或多个介电层所形成，且沟槽的底表面...

提供一种半导体封装体，包括封装基板、中介层模块以及封装盖，中介层模块在封装基板上，封装盖在中介层模块上，且封装盖包括均温板基部，均温板基部包括板部以及角部，角部从板部的两端以一角度延伸。提供一种冷却半导体封装体的方法，包括将半导体封装体...

实施例包括方法，方法包括：在衬底中形成第一导电部件和第二导电部件。方法也包括：在衬底上方形成第一互补场效应晶体管(CFET)，形成包括：形成包括第一栅极和第一源极/漏极区域的第一下部晶体管。方法也包括：形成包括第二栅极和第二源极/漏极区...

本文公开了用于堆叠器件结构的偶极工程技术。根据本公开实施例的各个方面，示例性偶极工程技术包括：(1)至少形成具有不同图案并且覆盖一些晶体管(但不是其它晶体管)的栅极介电层的两个图案化偶极掺杂剂源层；(2)实施热驱入工艺(例如，偶极驱入退...

一种集成电路(IC)器件包括互补场效晶体管(CFET)器件、位于CFET器件的第一侧处的电源轨以及位于CFET器件的第二侧处的导体。所述CFET器件包括局部互连件。所述第一侧是CFET器件的前侧及背侧中的一个。所述第二侧是CFET器件的...

一种制造封装件的方法包括在第一衬底上形成第一再分布结构；在第二衬底上形成波导结构，其中，波导结构包括波导；使用电介质对电介质接合将波导结构接合至第一再分布结构；去除第二衬底；在波导结构上形成第二再分布结构；以及将光子封装件连接到第二再分...

集成电路器件包括在衬底的前侧处彼此堆叠的第一类型晶体管和第二类型晶体管。第二类型晶体管位于第一类型晶体管和衬底之间。集成电路器件也包括：前侧电感器，具有位于第一类型晶体管和第二类型晶体管之上的前侧上部金属层中的一个或多个导体；以及背侧电...

本公开的各种实施例关于一种图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括用于增强按比例缩小的具有双PD布局的像素。像素跨越第一集成电路(IC)管芯和与第一IC管芯堆叠的第二IC管芯。该像素包括在第一IC管芯中的多个光电检测器，并且还包括分开在...

一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电...

在一些实施例中，本技术是关于一种双修整刀片工具，其包括：一壳体。一晶圆卡盘位于所述壳体内，用于容纳晶圆堆栈。一控制电路配置为控制所述晶圆卡盘。一具有第一刀片宽度的第一修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路指...

本技术实施例涉及一种半导体装置。根据本技术的一些实施例，一种装置包含串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；...

一种放大器系统包括具有输入分流电容的输入焊盘、具有输出分流电容的输出焊盘和高频放大器，高频放大器包括耦合到输入焊盘的输入端子和耦合到输出焊盘的输出端子。输入分流电容大于输出分流电容。本申请的实施例还提供了形成放大器系统的方法。

本发明提供一种集成芯片及象素数组。一些实施例涉及集成芯片，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。集成芯片还包括位于衬底内的第一象素区中的第一光侦测器。具有第一极性的第一掺杂浓度的浮动扩散区位于第一象素区中的衬底的第一侧上。具有不...

本公开实施例有关于一种用以修正虚拟会议期间的网络中断的装置及技术。回应于侦测到音频及/或视频输入至第一装置，将音频及/或视频数据记录并储存于上述第一装置的暂时缓冲区中。在网络中断之后，网络中断服务器可以使用时间标记向第一装置请求音频及/...

光学模数转换器(O‑ADC)将输入光信号(IOS)转换为输出数字信号。O‑ADC包括ADC阶，每个阶可以生成输出数字信号的电学位和光学位。ADC阶可以包括光电检测器、ADC电路和光学输出电路。光电检测器基于IOS的部分生成模拟电信号。A...

本申请的实施例提供了光学器件和制造方法，制造方法形成光学器件的第一有源层。在形成光学器件的第一有源层之后，在光学器件的第一有源层上方制造光学器件的第二有源层，其中，形成光学器件的第二有源层以产生具有晶体材料的光学器件。本申请的实施例还涉...

本申请的实施例公开了SRAM单元、存储器中计算器件和操作基于SRAM的电路的方法。SRAM单元包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器。第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，其具有限定第一储存节点的耦合漏极。SRAM单元还包括第一N...

本发明的实施例提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括第一导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第一侧上方。该集成电路器件包括第二导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第二侧上方。该集成电路器件包括衬底贯通孔(TSV)在第一方向上延伸至衬底中。T...