【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成芯片及象素数组。
技术介绍
1、许多现代电子装置包含数字影像传感器。数字影像传感器可以是背照式传感器或前照式传感器。背照式传感器可以增加传感器捕获的光线的数量，而前照式传感器具有较好的响应均匀性。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种集成芯片，包括：衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一光侦测器，位于所述衬底内的第一象素区中；具有第一极性的第一掺杂浓度的第一掺杂区，位于所述第一象素区中的所述衬底的所述第一侧上；以及具有不同于所述第一极性的第二极性的第二掺杂浓度的第一主体接点区，位于所述第一象素区中的所述衬底的所述第二侧上。
2、本技术实施例提供一种象素数组，包括：衬底，具有第一侧、与所述第一侧相对的第二侧以及从所述第一侧测量到所述第二侧的第一厚度；深沟槽隔离(dti)结构，位于所述衬底内，所述深沟槽隔离结构包括以格栅图案排列的多个深沟槽隔离段，其将所述衬底分成多个象素区；多个光侦测器，位于所述衬底内，从俯视图看，所述多个光侦测器分别排列在所述多个象素区内；多个浮动扩散区，位在所述衬底的所述第一侧上，从所述俯视图看，所述多个浮动扩散区分别排列在所述多个象素区内；以及多个主体接点区，位在所述衬底的所述第二侧上并且延伸进入所述衬底达第一距离，其中从剖视图看，所述第一距离最多为所述第一厚度的20％；从所述俯视图看，所述多个主体接点区分别排列在所述多个象素区内。
【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成芯片，其特征在于，所述导电膜从所述第一象素区背向所述深沟槽隔离段的第一侧延伸至所述第二象素区背向所述深沟槽隔离段的第一侧，所述深沟槽隔离段直接位于所述第一象素区的所述第一侧和所述第二象素区的所述第一侧之间；且
6.一种象素数组，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的象素数组，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的象素数组，其特征在于，所述深沟槽隔离结构的第一深沟槽隔离段和第二深沟槽隔离段在交叉点处彼此垂直相交以定义关于所述交叉点的象限，并且其中：
9.根据权利要求8所述的象素数组，其特征在于，所述导电结构包括与所述第一主体接点区、所述第二主体接点区、所述第三主体接点区和所述第四主体接点区接触的接点。
10.根据权利要求6所述的象素
...【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成芯片，其特征在于，所述导电膜从所述第一象素区背向所述深沟槽隔离段的第一侧延伸至所述第二象素区背向所述深沟槽隔离段的第一侧，所述深沟槽隔离段直接位于所述第一象素区的所述第一侧和所述第二象素区的所述第一侧之间；且
6.一种象素数组，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的象素数组，其特征在于，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨皓麟，王子睿，王俊智，王铨中，杨敦年，郭福升，曾晓晖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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